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paopaotu326金蟲 (正式寫手)
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[求助]
采用LDA+U計算SnO2的能帶結(jié)構(gòu),U值越大,帶隙越小?
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偶是新人,最近在計算SnO2的能帶結(jié)構(gòu),采用2*2*2超胞時(Sn16O32),采用VASP的LDA進行計算,得到的能隙只有1.11eV,故找了不少LDA+U的資料來看完,開始實踐,先采用單胞進行計算(Sn2O4),發(fā)現(xiàn)用LDA算出來的能帶帶隙增大為2.0eV,然后用+U的方式來計算,卻發(fā)現(xiàn)U值越大,得到的帶隙越。肯旅媸俏矣嬎隳軒У妮斎胛募 system=SnO2-Rutile-LDA+U ISIF=3 NSW=1 ISTART=1 IBRION=2 ISMEAR=0 ! 0 ! for less K-point, set 0. try -5 (tetrahedron method valid for NKPT>=4) with multi-KPOINTS NFREE =15 NELM =120 NELMIN= 4 NELMDL = -12 ENCUT=520 NBANDS=160 EDIFF=0.0014 Prec=Normal ROPT=-5E-4 -5E-4 -5E-4 -5E-4 ! * Making the calculations faster IALGO = 48 ! RMM-DIIS algorithm for electrons LREAL =.FALSE. ! evaluate projection operators in reciprocal space NSIM = 4 ! blocked algorithm update, four bands at a time LELF=TURE ICHARG=11 RWIGS=1.566 0.820 NPAR=1 LDAU = .TRUE. LASPH = .TRUE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = 2 -1 ! POTCAR中Sn在前,O在后 LDAUU = 5.00 0.00 LDAUJ = 0.5 0.00 LDAUPRINT = 2 LMAXMIX = 4 ! Important: mix paw occupancies up to L=4 我算出來,U為5的時候,帶隙只有1.24eV,而不加U時,確有2.0eV,而且當(dāng)U值調(diào)整到10時,帶隙只剩下0.71eV了。 真是百思不得其解啊,請大家?guī)兔α耍? |
第一性 |
木蟲 (正式寫手)
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確實和理論預(yù)期有點差別。請問你的結(jié)構(gòu)是否做過優(yōu)化?用一般的LDA和GGA優(yōu)化即可。我想,如果不做優(yōu)化,直接拿實驗結(jié)構(gòu)做計算的話,對于理論來說,這個結(jié)構(gòu)是有缺陷的,而缺陷一般導(dǎo)致帶隙變窄。當(dāng)然,一般來說這個非優(yōu)化結(jié)構(gòu)對結(jié)果的影響不太大,因為實驗結(jié)構(gòu)往往和理論結(jié)構(gòu)離的很近。不過如果沒有優(yōu)化的話,先優(yōu)化一下試試。 另外一個問題是你的自旋極化是否已經(jīng)打開?+U計算需要打開自旋極化。我沒有用過VASP,不過這樣的錯誤我想VASP也不至于犯。如果還不行,只能建議多看文獻,檢查計算設(shè)置了。科研就是這樣摸索。 |
木蟲 (小有名氣)
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金蟲 (正式寫手)
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