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烏洛托品金蟲 (小有名氣)
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[求助]
用cp2k怎么算固體材料的band gap 和 band structure?
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| 有人使用知道怎么用cp2k算固體的能帶和帶隙么,并且在設置參數(shù)時一些需要留心的地方。我看了軟件自帶的test 里面的例子,沒找到相關的例子 |
模型 - 模擬 - 統(tǒng)計 - 熱力學 |
銀蟲 (小有名氣)

金蟲 (小有名氣)
銀蟲 (小有名氣)

金蟲 (小有名氣)
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我還想問一下,算晶體的時候potential用哪個啊。我用test 里面的example測試,我選了QS里面NE-hybrid-HSE06-lda.inp作為例子計算,就是把其中的SUBSYS選項的Periodic 從NONE改成了XYZ,以及POISSON的Periodic從NONE改成的XYZ,solver改成了periodic。但是輸出文件有一句警告: *** 11:46:40 WARNING in hfx_types:hfx_create_neighbor_cells Periodic *** *** Hartree Fock calculation requested without use of a truncated *** *** potential. This may lead to unphysical total energies. Use a *** *** truncated potential to avoid possible problems. hfx_types.F line *** *** 1348 *** 還有就是,我輸出DOS的時候,他沒有把空軌道的能級輸出來,要怎么設置輸出一些空軌道的能量 |
木蟲 (正式寫手)
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例子中的HSE06是對氣相中的一個Ne原子做計算,采用了MT方法消除了周期性邊界條件,此Ne原子與其鏡像的作用也消除了,所以不需要truncated potential. 你做固體計算,你的盒子中的Kohn-Sham軌道會與周圍的鏡像盒子中的軌道作用(Hartree potential),但是很遠的原子間的軌道作用很弱,因此要截斷,因此要用truncated potential;蛘遱hort range類型的potenital. For example in a HSE06 calculation: &SCF EPS_SCF 1.0E-6 MAX_SCF 200 ADDED_MOS 20 //增加空軌道數(shù)量。注意如果是LSD,就要寫 20 20分別是up和down的空軌道 SCF_GUESS ATOMIC &SMEAR // 對金屬和半導體要smear軌道的占據(jù) WINDOW_SIZE 0.1 &END SMEAR &END SCF &XC &XC_FUNCTIONAL &XWPBE SCALE_X -0.25 SCALE_X0 1.0 OMEGA 0.11 &END &PBE SCALE_X 0.0 SCALE_C 1.0 &END PBE &END XC_FUNCTIONAL &HF &SCREENING EPS_SCHWARZ 1.0E-10 EPS_SCHWARZ_FORCES 1.0E-5 &END &INTERACTION_POTENTIAL POTENTIAL_TYPE SHORTRANGE //標準HSE06使用shortrange potential,截斷系數(shù)omega=0.11 OMEGA 0.11 &END &MEMORY MAX_MEMORY 512 &END FRACTION 0.25 &END HF &END XC &PDOS // 打印density of states &END PDOS &MO // 打印軌道占據(jù) OCCNUMS .TRUE. &END MO &END PRINT |
銅蟲 (初入文壇)
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