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546672286金蟲 (著名寫手)
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晶體結(jié)構(gòu)，帶系與半導體性質(zhì)的關聯(lián)性
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| 我是剛涉及半導體這個方向，希望大家?guī)臀医鉀Q一下這幾個問題：1）半導體性質(zhì)的好與不好的評價標準是什么？2）帶系與晶體結(jié)構(gòu)之間有什么關聯(lián)性？ 目前我有個化合物帶系是3.57eV，希望大家給我提供建議，謝謝！最好附上文獻，金幣可以外加 |
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感謝參與，應助指數(shù) +1<br>houchenxmc: 金幣+3, ICEPI+1, 謝謝參與 <font color="gray">2013-01-08 15:53:59</font>
546672286(sddtc888代發(fā)): 金幣+2 2013-05-01 20:21:10
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546672286(sddtc888代發(fā)): 金幣+2 2013-05-01 20:21:10
| 1）先不說半導體，一種材料性質(zhì)好與不好當然要把自己所得到的性能與應用的標準對比，性能可以面向應用當然是好的，性能如果還是目前國際上做出來最好的，那當然是優(yōu)異的。比如我想讓我制備出來的半導體發(fā)藍光，而且強度要比較強，如果發(fā)不出這個光就算性能不好，光不夠強也算不好，但是它發(fā)出來了很好很強的紫外光，這時如果你把它應用到紫外發(fā)光器件里那又是好的性能了。 2）晶體結(jié)構(gòu)與帶隙沒有什么太大的關聯(lián)性，能帶的形成是與組成物質(zhì)的元素種類及鍵合方式等有關，這個需要看下能帶相關的理論。你做的化合物3.57eV，說明是一種寬帶隙半導體了，帶隙寬說明導電性不好，但只是這樣的一個參數(shù)并說明不了什么問題，材料性能與晶體結(jié)構(gòu)有著密切的聯(lián)系。共價鍵形成的穩(wěn)定四面體單胞的晶體一般都硬度大，如金剛石，氮化硼等。要說清楚這些內(nèi)容可不是一句兩句話說得清楚的。需要有固體物理，量子力學及半導體物理等方面的基礎理論。由于問題較為基礎，所以理解這方面知識需要看書系統(tǒng)學習下。推薦看下劉恩科的半導體物理學。 |
2樓2013-01-08 15:23:00
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4樓2013-01-09 10:35:40
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546672286(sddtc888代發(fā)): 金幣+1 2013-05-01 20:21:21
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我覺著帶隙與晶體結(jié)構(gòu)間還是有一定關系的，例如TiO2。但明顯沒有確定的關系，而是與多種因素相關，比如金屬元素的種類，其與其他金屬元素的鍵合方式等等，因為帶隙本質(zhì)上來說與電子能級是有關系的。如果要具體了解帶隙，一個是通過電化學測試的方法，一個是通過光化學測試的方法，具體方法很多。還有就是靠模擬計算，但如果以半經(jīng)驗方式算的雖然可能對類似的半導體計算較為準確，但對不同晶型的影響很難加以區(qū)分，而從頭算差別較大。 目前有很多半導體對應晶型的帶隙是可以在書上或文獻上直接查到的，但引用時要注意其測試方法，不同測試方法得到的帶隙可能差異很大…… |
5樓2013-01-10 12:20:25
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7樓2013-03-31 15:53:07
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