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葵花點(diǎn)穴手h銀蟲 (小有名氣)
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[求助]
電弧離子鍍和cathodic Arc 有什么區(qū)別啊
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| 電弧離子鍍(AIP)與cathodic arc兩種鍍膜方法是一樣的嗎?不是的話有什么區(qū)別呀,網(wǎng)上搜了一下相關(guān)的信息不是很多,跪求幫助,謝謝 |

木蟲 (小有名氣)
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Cathodic Arc是一種蒸發(fā)靶材料的方法,優(yōu)點(diǎn)是離子化程度高,靶材利用率較高。產(chǎn)生的macro-particles可以用filter過濾掉,稱為filtered-arc,可以作為PI3&D 還有其它方法的離子源,比如用作Ion Plating的離子源的時(shí)候整個(gè)系統(tǒng)就叫AIP。 AIP是以Cathodic Arc蒸發(fā)靶材做離子源的離子鍍。 Cathodic Arc是離子源,Ion Plating是沉積方法,兩個(gè)東西不是一類不能比較,但是兩個(gè)東西合在一起就是你說的AIP。 http://en.wikipedia.org/wiki/Cathodic_arc_deposition http://en.wikipedia.org/wiki/Ion_plating |

銀蟲 (小有名氣)

木蟲 (小有名氣)
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離子鍍: 靶材的離子化可以是通過蒸發(fā)(如EB或者電。,濺射,或者干脆就是氣體的分解(CVD),沒有一種特定的方法。 這種方法的特點(diǎn)是有高能粒子轟擊工件/涂層表面。這種高能粒子可能是離子,也可能是中性粒子。 電弧鍍: Cathodic arc deposition是利用陰極蒸發(fā)靶材產(chǎn)生高能離子,然后一般工件加有負(fù)偏壓,帶正電的離子可以以更高的能量沉積在工件表面。 同時(shí)Cathodic arc也是一種常見的離子源,用來蒸發(fā)靶材產(chǎn)生離子,然后用在其他的鍍層方法上(PI3&D)。 總體來說,離子鍍離子源種類多,待鍍材料的選擇更為廣泛,而且粒子能量高,沉積的薄膜更加致密。相比較而言,電弧鍍的靶材選擇范圍就較窄。 (以上均為個(gè)人理解,歡迎拍磚) |

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