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plane1987新蟲 (初入文壇)
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[求助]
為什么奧氏體曾錯能低,易形成位錯馬氏體，不易形成攣晶馬氏體
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為什么奧氏體曾錯能低,易形成位錯馬氏體，不易形成攣晶馬氏體？不是曾錯能高的晶體不易形成攣晶嗎？ 求幫忙 |
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chensijie
鐵桿木蟲 (著名寫手)
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| 層錯對馬氏體相變的類型、相變臨界點(diǎn)、馬氏體形態(tài)及亞結(jié)構(gòu)都有一定的影響,甚至?xí)淖兿嘧儥C(jī)制。OlsonGB等提出了某些鋼中馬氏體相變的層錯形核機(jī)制:把層錯區(qū)視為馬氏體相變的晶胚,因而有體積自由能、界面能和應(yīng)變能的變化。對Fe218Cr214Ni不銹鋼,SatoA等[3]建立了化學(xué)自由能與層錯能之間的微分關(guān)系式,但未能揭示出直接聯(lián)系。徐祖耀[4]從熱力學(xué)方面證明了低層錯能材料的層錯形核機(jī)制,認(rèn)為相變驅(qū)動力與層錯能有關(guān)。 |
2樓2013-02-04 19:29:44
comma
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【答案】應(yīng)助回帖
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wercde: 專家考核 2013-02-04 22:52:22
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這個問題還是很復(fù)雜的，研究還在進(jìn)行，尚未得到明確的結(jié)論...... 泛泛來講一下，僅供參考： FCC結(jié)構(gòu)正常的原子堆垛是…ABCABCABC…，當(dāng)插入或抽出一層{111}面時，就是產(chǎn)生…ABCABCAB ABCABC…或者…ABCAB A CABC…的錯誤堆垛，就產(chǎn)生堆垛層錯。堆垛層錯使能量增加，單位面積層錯所增加的能量稱為層錯能。 FCC結(jié)構(gòu)中，層錯在相鄰的{111}密排面上每層都掃一下形成孿晶；層錯在{111}密排面上隔一層掃一下形成ε-馬氏體（即六方結(jié)構(gòu)馬氏體）。 由此可見，層錯既可以誘導(dǎo)孿晶也可以誘導(dǎo)相變，到底如何判據(jù)？ 已有研究報道：低的層錯能(≤20mJ/m2)有利于γ( fcc) →ε( hcp )馬氏體相變，而高的層錯能（>20mJ/m2）則抑制這種相變。當(dāng)SFE<18 mJ/m2時，會應(yīng)變誘導(dǎo)γ→ε-M相變；SFE<10mJ/m2時會產(chǎn)生熱致的ε-M；當(dāng)SFE<12mJ/m2時，會發(fā)生α‘-M相變；SFE在12～35mJ/m2時，應(yīng)變誘發(fā)機(jī)械孿晶；SFE>30～40mJ/m2時，形變機(jī)制以位錯滑移為主。 |
3樓2013-02-04 21:22:15
十三小姐
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