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Nature系列期刊Scientific Reports報(bào)道了無定形碳化硅(SiC)轉(zhuǎn)化為石墨烯的新方法
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近期,Scientific Reports(科學(xué)報(bào)告)刊發(fā)了武漢理工大學(xué)材料復(fù)合新技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室燃料電池研究團(tuán)隊(duì)木士春教授在無定形碳化硅(SiC)轉(zhuǎn)化為石墨烯方面的創(chuàng)新性研究成果,論文題目為Direct Transformation of Amorphous Silicon Carbide into Graphene under Low Temperatures and Ambient Pressure。 研究報(bào)告中,作者采用成本低廉的無定形SiC(a-Si1-xCx)取代昂貴的晶體SiC作為石墨烯的前驅(qū)體,結(jié)合成熟的氯化技術(shù)(chlorination),首次提出了一種通過無定形SiC氯化法合成石墨烯的新方法。采用該方法,在較低溫度(800℃)、常壓條件下即可快速地實(shí)現(xiàn)無定形SiC向石墨烯的轉(zhuǎn)化。在高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)下可觀測(cè)到通過無定形SiC-氯化法合成的石墨烯層數(shù)在10層以內(nèi),繼承了SiC外延生長(zhǎng)法層數(shù)少的優(yōu)點(diǎn)。拉曼光譜(Raman)下可以檢測(cè)到明顯紅移的2D峰,證明了氯化法合成的石墨烯具有較好的層數(shù)可控性。此外,作者還探討了無定形SiC的石墨烯轉(zhuǎn)化機(jī)制,提出了一種無定形SiC轉(zhuǎn)化為石墨烯的氯刻蝕晶化模型。因此,該方法具有大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯及在任意基底上大面積合成層數(shù)可控石墨烯的巨大應(yīng)用前景。 附:研究論文在線瀏覽和全文免費(fèi)下載地址 http://www.nature.com/srep/2013/ ... full/srep01148.html (在線瀏覽) http://www.nature.com/srep/2013/ ... 8/pdf/srep01148.pdf (PDF版全文免費(fèi)下載) |
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