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dilattice新蟲 (初入文壇)
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[交流]
新的超導配對機制 已有7人參與
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本人提出一個新的超導配對機制。起因是試圖解釋高溫超導現(xiàn)象,但作為在這個方向上的半業(yè)余作者,關(guān)于高溫超導現(xiàn)象的解釋感覺說服力不足,尚需進一步的工作;而關(guān)于超導配對機制部分自認為物理概念清晰,數(shù)學證明簡單明確,應該是成立的。 基本原理是,(1)導電的本質(zhì)是電子的運動;(2)在銅氧面上,離子電荷分布在銅氧離子上,銅氧離子位置的差異,會導致離子電荷分布的不均勻?紤]到高溫超導的低載流子濃度,這種不均勻性可以看做一個小量,簡單的數(shù)學推導證明這種不均勻性可以用一個電偶極子晶格來表示;這種電偶極子晶格可以使位于其相反方向的電子產(chǎn)生吸引力。在這個基礎上,可以定性地解釋高溫超導的現(xiàn)象。 這部分內(nèi)容寫成文章發(fā)表在“中國科技論文在線精品論文,2013,6(3):246-251”(http://highlights.paper.edu.cn/page_detail.php?id=2450)。本以為最有確定性的對于d-波對稱的解釋,因為直觀地認為電偶極子周圍的電場自然是d-對稱的;但這能否直接指向k空間電子對的d-對稱,確實有疑問,至少需要嚴格的證明。好在這并不影響這個idea的核心,一種新的超導配對機制。 將可能不正確的部分去掉,以一個理想模型來解釋這種新的配對機制(arxiv 1212.6597),先后被Nature Physics(10天) 和Chinese Physics letters(約3個月) 拒絕。但比較好的消息是,他們只是認為這個job對于他們的雜志來說“不夠好” ,沒有否認這個理論的正確性?紤]到編輯和審稿人的專業(yè)素質(zhì),以及個人對這個問題的理解,可以基本確定這個理論的正確性。 這個理論的創(chuàng)新之處在于,離子電荷分布對于離子電荷均勻分布的偏離,是可以仿照銅氧面來進行設計的,這為尋找新的超導材料提供了一個新的思路和方法。畢竟電子運動以及晶格熱振動導致的晶格變形,是無法人為控制的。雖然困難,也許這種設計是可以實現(xiàn)的,這為室溫超導的實現(xiàn)提供了一個可能的路徑。 這種離子電荷分布對于均勻分布的偏離,其實可以看做是另一種晶格變形,只是其振幅可以遠大于電子運動以及離子熱振動所導致的晶格變形。這基本上可以保證這個idea物理上的正確性。 希望有專業(yè)的同學能認可這個理論,在這個框架下對于高溫超導現(xiàn)象給出一些可信的解釋,或者設計些新的超導材料,畢竟超晶格已經(jīng)研究了很多年。當然言之有據(jù)的拍磚也是非常歡迎的,最終目的總是尋找真理。 Nature Physics 的rejection因為其聲明是保密的所以無法在此粘貼;Chinese Physics letters 的rejection如下: This paper presents yet another proposal to explain superconductivity in the cuprates. Th mechanism is similar, but not identical to phonon-mediated. In my honest view, this paper is of marginal interest to high-T_c community. I doubt that it will generate enough interest, but I will be happy if I will be wrong. One thing must be clarified, however. The author wrote that "electric dipole is created along bond direction, hence it should be d-wave". Fo d-wave, the sign of the gap on X and Y bonds must be different. Why this is the case for the author's model? 好像被證明這個是錯誤的,不成立的,只是本人現(xiàn)在仍然沒發(fā)現(xiàn)錯誤的地方 [ Last edited by dilattice on 2013-7-6 at 11:36 ] |
木蟲 (著名寫手)
鐵桿木蟲 (正式寫手)
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作為一個對超導問題的一個純粹的業(yè)余愛好者來說,你的文章似乎過于簡單了。 雖然對于這個領域里的專家來說,有些東西可能是顯然的,但是你的推導似乎過于簡化了。至少,得寫出你的理論的整個哈密頓量,然后對其進行詳盡的分析,給出新機制的基態(tài)等等一些量子性質(zhì)。而你的所有推導好像只是“經(jīng)典地”進行,完全看不出一絲“量子”痕跡,這讓外行人看來都不信服,如何能打動專家呢? 附:定性描述不比定量描述,它很有可能是錯誤的。 (外行人,說多了,還請見諒,呵呵~~ ) |
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沒有細看,不過粗略的看了一下,給幾個comments: 1. 你文章里Cu-O鍵之間的鍵長,隨doping level變化關(guān)系的假設是不可靠的,這么大的變化和實驗完全不符和。如果你的假設成立, 那么說明隨著doping level 一個小的變化,你的體系的體積會有一個很大的變化(這個不大現(xiàn)實)。但是實驗上基本上沒什么變化。 2. 你文章里計算的是一個靜態(tài)的極化晶格產(chǎn)生的對兩個電子的有效吸引能量,但是我們知道晶格的運動是非常慢的,相比于電子的運動。 所以你不能保證電子在運動的時候時時刻刻晶格會產(chǎn)生對它的吸引。如果你是考慮retarded的作用的話,那你這個基本上就是phonon的機制 ,和傳統(tǒng)的BCS差不多。但諸多的實驗數(shù)據(jù)和理論的argument已經(jīng)基本上證明phonon的或者類似的晶格作用是不能產(chǎn)生這么高的轉(zhuǎn)變溫度的。 3.你的文章里忽略了一個很重要的東西,那就是電子與電子的相互排斥作用,這個作用的energy scale是所有作用中最高的。你的文章中完全忽略了 這個作用。在BCS中這個作用是考慮在內(nèi)的,retarded 相互作用才會產(chǎn)生一個凈的吸引。瞬時的相互左右,任何時候都是排斥的,不能產(chǎn)生配對。 |
新蟲 (初入文壇)
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謝謝樓上的關(guān)注。解釋一下wzhiqustc的問題: 1、本人并不認為Cu-O鍵之間的鍵長隨doping level改變,只是因為摻雜濃度改變的時候,載流子之間的距離變化,而Cu-O鍵之間的鍵長與載流子間距離的比值產(chǎn)生變化。 2、從統(tǒng)計的角度來說,離子電荷的不均勻分布,只是疊加在規(guī)則晶格排布上的一個violation。這種不均勻的改變,其實是由電子在不同離子間的transition引起,不是晶格本身的運動。 3、電子之間的排斥是由于規(guī)則晶格所中和的。提出的電偶極子晶格只是在規(guī)則的電子排列以及晶格排練之上的一個微擾,一個額外的作用。這個idea是把不均勻的晶格分布看做均勻的晶格分布加一個微擾,電子與規(guī)則晶格的相互作用類似于普通金屬。 4、回答一下fy17的問題。本人認為對于配對機制的討論,尚不需要量子效應的考慮。如BCS理論,其物理機制的核心是晶格運動或晶格變形。當然,關(guān)于高溫超導現(xiàn)象的解釋,本人現(xiàn)在確實是不太有把握,只是 提供了一個可能。 |
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