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[求助]
陣列的硅納米線在太陽能電池和光解水的應用中光電流為何相差一個數(shù)量級之多？
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菜鳥新手向諸位前輩求助啦！ 學過半導體物理這門課，自己感覺太陽能電池和光解水材料的工作原理差不多（要是不太一樣求前輩指正啊~）于是就看了一些相關(guān)的文獻，發(fā)現(xiàn)同是用濕法刻蝕出的陣列狀硅線作為基底，太陽能電池的電解質(zhì)溶液是用8M的HBr/Br，光解水是1M的NaOH，然而光電流相差一個數(shù)量級之多，這究竟是為什么呢？電解質(zhì)介質(zhì)對于光電流的影響有這么大嗎？ 附上截圖： 太陽能電池：Angew. Chem. Int. Ed. 2011, 50, 9861 –9865 光解水：J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 12406−12409 [ Last edited by nkq900120 on 2013-5-1 at 10:46 ] |
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【答案】應助回帖
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nkq900120: 金幣+15, ★★★很有幫助 2013-05-03 10:42:44
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第一是電解質(zhì)的氧化還原電位HBr/Br應在Si的導電和禁帶之間。根據(jù)染料敏華電池原理，硅電池吸光后，光生載流子分離，氧化HBr,pt電極還原Br。 第二是該結(jié)構(gòu)會使Fe2O3內(nèi)部電子濃度提高，會降低少子壽命。不利于Fe2O3內(nèi)部光生載流子的分離。進而光電流更小了！ 好好看看染料敏化電池基礎(chǔ)知識，就能較好的理解，這篇文章了！ |
2樓2013-05-01 22:54:40
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