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北京石油化工學(xué)院2026年研究生招生接收調(diào)劑公告

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wangwenjie87

新蟲 (初入文壇)

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蟲號(hào): 1932872
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專業(yè): 無機(jī)非金屬類光電信息與功

[求助] Ge+注入SiO2薄膜3.0eV（415nm）常溫下測(cè)試的PL發(fā)光峰的光致發(fā)光機(jī)理是什么？

Ge+注入SiO2薄膜3.0eV（415nm）常溫下測(cè)試的PL發(fā)光峰的光致發(fā)光機(jī)理是什么？我用的光源是Xe燈。謝謝各位老師，同學(xué)幫忙解答。

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1樓 2013-05-03 11:12:13

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caoxiafei

專家顧問 (著名寫手)

研發(fā)工程師-Topcon/HJT電池

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管轄: 功能材料

【答案】應(yīng)助回帖

感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1

可以用兩種機(jī)理解釋：
1）少量的Ge+注入SiO2薄膜，在SiO的禁帶中形成陷阱，或色心，在光照條件下，SiO2價(jià)帶中的電子躍遷到，陷阱或色心處，然后復(fù)合反光！
2）大量的Ge注入，會(huì)在SiO2薄膜中，偏析形成量子點(diǎn)，量子點(diǎn)具有熒光特性！

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2樓2013-05-06 10:04:41

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