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筷子筒銀蟲 (初入文壇)
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[求助]
為什么ZrB2-SiC陶瓷反應燒結(jié)后SiC消失?
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LZ做ZrB2-SiC陶瓷的反應燒結(jié)。使用沉淀法制備“ZrB2前軀體”,也就是含水ZrO2和硼粉、碳粉的混合物,之后再與直接購買的SiC粉體混合,進行反應熱壓燒結(jié),燒結(jié)環(huán)境為真空,不通氣體。本來設計體積比為ZrB2:SiC=80:20,但是燒結(jié)過后,SiC完全消失!XRD檢測不到!文章審稿意見揪住這個問題不放~~~~求助各位大神! |
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第一,你在燒結(jié)之前測量單獨組分的XRD,混合組分的XRD和燒結(jié)之后的做比較 第二你的燒結(jié)溫度是多少,如果是碳化硅的話在2000攝氏度以下很難燒結(jié),ZrB2這個東西還沒接觸過,查看一下這個東西的燒結(jié)一般是在什么溫度, 還有救是二者的熱脹系數(shù)是不是合得來,燒結(jié)是否有相變,是不是你初始放進去的相,反正碳化硅好像是在這個溫度附近有相變,而且碳化硅有3個相,立方相六方相 第三據(jù)我所知增強相通常不會超過10%,至于你做的什么完全不了解,只是給出個人認為有用的信息 |

銀蟲 (初入文壇)
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5樓: Originally posted by 筷子筒 at 2013-05-14 08:55:36 ZrB2-SiC陶瓷的燒結(jié)做的時間也比較久了~~~業(yè)界體積配比大概都是80:20。我們通常在1900度左右進行熱壓燒結(jié),都會得到比較正常的XRD峰,SiC不會消失。 但是這一部分的實驗是反應熱壓燒結(jié),也就是:使用沉淀法制備“ ... 你把XRD發(fā)到我郵箱bosi2006@126.com,我看一下。 你的回答肯定是不對的,20%的碳化硅能夠突破XRD的檢測低限?這是明顯的錯誤回答。 |
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