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joyson_zn鐵蟲 (初入文壇)
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[求助]
EIS中低頻弧對(duì)應(yīng)一個(gè)什么樣電極過(guò)程或者應(yīng)該用哪個(gè)電化學(xué)元件去擬合
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| 我閱讀了很多文獻(xiàn)后發(fā)現(xiàn),在測(cè)試出有兩個(gè)。ú凰汴(yáng)極的容抗。┑淖杩棺V中,其中低頻弧有的人解釋為傳質(zhì)阻力(mass transfer resistance),等效電路上表現(xiàn)為一個(gè)電阻和電容并聯(lián);也有人說(shuō)是Warburg阻抗,就是那個(gè)擴(kuò)散元件。請(qǐng)問(wèn)這兩種說(shuō)法是統(tǒng)一的還是不同的。另外有哪位大哥能通俗易懂地解釋一下這兩種阻抗。多謝! |
鐵桿木蟲 (著名寫手)

新蟲 (初入文壇)
| 若電極過(guò)程在某一電位下受到電化學(xué)極化和擴(kuò)散過(guò)程同時(shí)控制,則在高頻下會(huì)出現(xiàn)半圓的容抗弧,低頻下可能出現(xiàn)一條直線,則該擴(kuò)散是半無(wú)限擴(kuò)散過(guò)程即Warburg阻抗,一般由電阻和電容串聯(lián)表示其等效元件;但是低頻下也可能出現(xiàn)的是一個(gè)半圓的容抗弧,則擴(kuò)散是有限層擴(kuò)散過(guò)程,可能由電阻和電容并聯(lián)表示其等效元件。具體有些基本概念可以見(jiàn) 曹楚南《電化學(xué)阻抗譜導(dǎo)論》,書里講的很詳細(xì)。 |
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