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[求助]
AlN的沉積問題
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在文獻(xiàn)中看到一句話，很不理解，求指教。 背景：磁控濺射，高純鋁為靶，Ar+N2，制備AlN 文章中的原話是： As the chemical reactivity of aluminium with nitrogen is very high, one can therefore use relatively low N2 gas partial pressure in the sputtering gas mixture to deposit nearly pure AlN ceramic by DC reactive sputtering. 求指教： 1：aluminum with nitrogen 是指AlN化合物的活性高，還是說Al在氮?dú)鈿夥罩械幕钚愿撸?br /> 2：如果說1中是指后者的話，那應(yīng)該是用高的N2分壓才能制備AlN的；如果1中前者是對的，那如何去控制氮?dú)夥謮耗�？（因�(yàn)殇X靶還是很容易被濺射的） 多謝大家~ |
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vincentwz
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