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gfunction木蟲 (小有名氣)
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[求助]
審稿人建議：關于化學勢和表面吸附計算的關系
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論文內(nèi)容是計算單個原子在表面的吸附 E_adsorption＝E_substrate + E_adatom – E_total (Eq.1) 結果都是基于以上公式計算 審稿人意見是 Energy differences [Eq.(1)] are important but they are not the relevant parameter when comparing the thermodynamic stability of different configurations. It is immediately clear that at least the chemical potentials for adatom will play an important role here (see e.g. Zhang and Northrup, Phys. Rev. Lett. 67, 2339); this should be discussed and clarified. 他的大概意思是問為何沒有討論化學勢，理由是化學勢對與表面擴散起重要作用。 但是在看過審稿人給出的參考文獻(Phys. Rev. Lett. 67, 2339)這里面講的并不是吸附的計算而是關于自擴散(self-diffusion). 關于計算吸附的很多參考文獻都并沒有考慮化學勢。對于這個問題我該怎么回答呢？？？ 謝謝各位�。�！  |
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2樓2013-06-18 21:50:18
3樓2013-06-18 22:36:55
4樓2013-06-18 23:41:49
gaolugang
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感謝參與，應助指數(shù) +1
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僅供樓主參考。 The authors would like to thank the reviewers for insightful comments. As the reviewer point out (see Zhang and Northrup), chemical potential do play an important role in the thermodynamic stability of the native defects studies in semiconductor (GaAs). And the authors have add one sentence to discuss the importance of chemical potential in thermodynamic stability(cite that paper). However, the objective of this paper is to study the adsorption of ..., in which the chemical potential study for thermodynamic stability is not applicable and absorption energy study is sufficient. |
5樓2013-06-19 09:13:28
gfunction
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6樓2013-06-19 12:19:37
7樓2013-06-19 20:01:36
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8樓2013-06-19 21:32:49
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3樓正解，審稿人是讓你計算實驗溫度和分壓下的吸附能，讓DFT結果更有意義。這種方法也叫ab initio thermodynamic, 最早由Matthias Scheffler組提出, 參見： http://arxiv.org/pdf/cond-mat/0107229.pdf 計算化學勢沒有那么復雜，只是在原有吸附能基礎上加上溫度和分壓的修正而已，樓主不要擔心。 |
9樓2013-06-19 22:12:24
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10樓2013-06-19 22:19:39
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