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lwb870525木蟲 (著名寫手)
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[求助]
對劉恩科半導(dǎo)體物理學(xué)那本書掌握好的請進
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第七版第五章第六題,說畫出p型半導(dǎo)體在光照(小注入)前后的能帶圖,答案(網(wǎng)上很好找)中給出了光照后p型半導(dǎo)體中出現(xiàn)了電子和空穴的準(zhǔn)費米能級。 現(xiàn)有一類似的題目如下:n型半導(dǎo)體材料的帶隙寬度為Eg,對應(yīng)的吸收邊為λg,吸收系數(shù)為α。畫出下列四種情況下的能帶圖:a 無光照; b 有光照,λ大于λg ; c有光照 λ等于λg ;d 有光照,λ小于λg。 這個問題怎么破? |

銀蟲 (小有名氣)
| 這題主要是看能帶的變化~~~無光照時和入射波長大于吸收邊波長的情況是一樣能帶圖沒變化~~~但是后兩種情況在吸收長度內(nèi)(1/a)能帶分裂而到半導(dǎo)體體恢復(fù)無光照的情況內(nèi)這是分裂大小大小不同~~至于是否考慮導(dǎo)帶和價帶的彎曲(因為電子和空穴遷移率不同)因題目不同來定吧~~我確定~~~ |

木蟲 (著名寫手)

銀蟲 (小有名氣)

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