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列出五種結(jié)構(gòu)材料及五種功能材料
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| 列出五種結(jié)構(gòu)材料及五種功能材料,并簡述這些材料中有哪些晶體缺陷以及這些缺陷對材料主要性能的影響 |
金蟲 (著名寫手)
木蟲 (小有名氣)
版主 (著名寫手)
寂寞讀書的小和尚
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我也感覺是你們的作業(yè),因為我在另外一個帖子也回答了這個問題,我就直接復制過來了,僅供參考。 我簡述一種功能材料——熱電材料 基本所有的晶體材料中的晶體缺陷都是那幾種,即點缺陷(空位,間隙原子,雜質(zhì),溶質(zhì)原子等)、線缺陷(各類位錯)、面缺陷(晶界,相界,孿晶界,堆垛層錯等)。這些缺陷對熱電材料的熱電性能有非常大的影響,影響電子、空穴、聲子的散射機制,影響載流子的濃度。 1、晶體缺陷影響晶格熱傳導。對于聲子而言,當頻率接近德拜頻率Vd時,聲子具有的波長約為2a,當頻率較低時,其波長則為晶格常數(shù)的幾百倍,只有當聲子的波長與散射中心的尺寸相近時,才會發(fā)生較強的散射。點缺陷對聲子的散射只對高頻聲子有效,對于低頻長波聲子,點缺陷散射作用不強,這是需要引入很多晶界,相界以增強對長波聲子的散射; 聲子的平均自由程隨著溫度的降低而增大,最終限制在晶體尺寸相當?shù)姆秶,這是晶界散射起主要作用;此外,位錯產(chǎn)生應變場,也能對聲子起到散射作用。 2、晶體缺陷影響載流子的濃度。半導體材料中,非常微小的雜質(zhì)含量,就能對半導體的性質(zhì)產(chǎn)生重大影響,雜質(zhì)會在禁帶中引入雜質(zhì)能級,在簡并半導體中,雜質(zhì)濃度高,雜質(zhì)原子相互間就比較靠近,導致雜質(zhì)原子之間電子波函數(shù)發(fā)生交疊,使孤立的雜質(zhì)能級擴展為能帶,形成雜質(zhì)能帶。會對載流子的濃度和散射以及載流子的復合過程產(chǎn)生重要影響。 對于一種特定的材料,缺陷不一定是缺點,合理的控制缺陷出現(xiàn)的位置,形態(tài)大小,種類,濃度,就能實現(xiàn)對材料性能的調(diào)控。 水平有限,隨便寫了一點,估計遺漏了好多,歡迎補充、糾錯! |

版主 (著名寫手)
寂寞讀書的小和尚

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