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solar201212木蟲 (正式寫手)
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[求助]
晶硅生長中draft crystal side是什么？引晶面？
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原文：Depending on the sensitivity of the diameter control devices and facilities, a range of 4–6 mm deviation from the desired diameter seems inevitable in today's Czochralski grown silicon crystals. The diameter fluctuation varies along the crystal height within a certain range of amplitude and frequency. Geometrical impact of the crystal shape on stress distribution has been addressed in previous studies. It can be either a draft crystal side or crystal/melt interface shape. 我的譯文：由于熱力、拉晶速度和融化水平等波動(dòng)干擾了長晶過程的穩(wěn)定性。根據(jù)直徑控制裝置靈敏度的差異，目前CZ法直拉單晶不可避免的產(chǎn)生與期望直徑存在4-6mm的偏差現(xiàn)象。沿著晶棒高度方向的直徑波動(dòng)具有不同振幅和頻率。以往的研究中層描述過晶棒形貌在應(yīng)力分布方面的幾何影響（geometrical impact）。可成為引晶面或晶體/熔體界面形貌。 請(qǐng)高手指教draft crystal side翻譯的是否有誤。 |
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andrewzhang
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2樓2013-07-26 00:30:21
solar201212
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3樓2013-07-29 14:25:14
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