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過渡金屬VI二硫化物谷電子學文獻整理
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過渡金屬VI二硫化物,以單層二硫化鉬為例,由于其對結(jié)構(gòu)的稱性破缺以及較強的自旋軌道耦合效應,導致 K谷和k‘谷對左旋和右旋圓偏振光的吸收具有選擇性,因此為谷電子學提供了基礎。 附件中我收集了幾篇看過的文獻,都是關于調(diào)制谷極化的文獻,大家可以看看,挺有意思。 111.png 2222.png |
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一般來說,berry curvature只有在spatial inversion symmetry或time reversal symmetry至少有一個break時才可能不為0,而過渡金屬VI二硫化物的spatial inversion symmetry被破壞掉了,才出現(xiàn)了不為零的berry curvature,在整個brillouin區(qū)都會有,只是K和K'處valley psuedospin相反導致berry curvature相反。在結(jié)構(gòu)類似的graphene中,能帶結(jié)構(gòu)類似,也有valley psuedospin,但是不會出現(xiàn)berry curvature,這時valley psuedospin沒有可觀測物理效應么? |
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