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qw905至尊木蟲 (著名寫手)
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[交流]
福田研究所晶體研發(fā)方向及趨勢 已有1人參與
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日本福田結(jié)晶技術(shù)研究所今日的成果中，尤為具有沖擊力及影響力的是開發(fā)成功了可實現(xiàn)8英寸口徑（約200mm）的藍(lán)寶石單晶的制造裝置，通過切割用該制造裝置制造的藍(lán)寶石單晶，便可實現(xiàn)口徑為8英寸的基板。由于制造裝置已開發(fā)完成，因此該公司將制造8英寸藍(lán)寶石基板納入了議事日程。日本福田結(jié)晶技術(shù)研究所。該公司是一家由日本東北大學(xué)名譽教授福田承生擔(dān)任代表董事社長的企業(yè)。 雖然該公司未公開技術(shù)細(xì)節(jié)，但據(jù)悉制造方法采用的是“CZ（czochralski）法”。采用該方法是“因為比EFG（edge-definedfilm-fedgrowthmethod）法及Kyropulos法等其他制造方法更適于大尺寸化”。原品率相同的話，基板的口徑越大，每塊基板能獲得的LED芯片數(shù)量就越多，從而越有助于提高生產(chǎn)效率，降低成本。 目前，白色LED使用的藍(lán)色LED芯片大多在口徑為2～4英寸的藍(lán)寶石基板上制造而成。所以業(yè)界公認(rèn)口徑為6英寸的藍(lán)寶石基板會越來越多地被使用，但在此之前，能否制造出來8英寸的大尺寸藍(lán)寶石基板還不明朗。福田結(jié)晶技術(shù)研究所的裝置，為實現(xiàn)8英寸產(chǎn)品打通了道路。 今后要想實現(xiàn)8英寸藍(lán)寶石基板，除了要制造8英寸單晶之外，還必須改進(jìn)對單晶進(jìn)行切割的方法，以及重約20kg的8英寸藍(lán)寶石單晶的搬運方法。不過福田結(jié)晶技術(shù)研究所的裝置，為實現(xiàn)8英寸產(chǎn)品打通了道路。 在福田結(jié)晶技術(shù)研究所最近的成果中，尤為具有沖擊力及影響力的是開發(fā)成功了可實現(xiàn)8英寸口徑（約200mm）的藍(lán)寶石單晶的制造裝置。通過切割用該制造裝置制造的藍(lán)寶石單晶，便可實現(xiàn)口徑為8英寸的基板。由于制造裝置已開發(fā)完成，因此該公司將制造8英寸藍(lán)寶石基板納入了議事日程。 成品率相同的話，基板的口徑越大，每塊基板能獲得的LED芯片數(shù)量就越多，從而越有助于提高生產(chǎn)效率，降低成本。 目前，白色LED使用的藍(lán)色LED芯片大多在口徑為2～4英寸的藍(lán)寶石基板上制造而成。所以業(yè)界公認(rèn)口徑為6英寸的藍(lán)寶石基板會越來越多地被使用，但在此之前，能否制造出來8英寸的大尺寸藍(lán)寶石基板還不明朗。福田結(jié)晶技術(shù)研究所的裝置，為實現(xiàn)8英寸產(chǎn)品打通了道路。 雖然該公司未公開技術(shù)細(xì)節(jié)，但據(jù)悉制造方法采用的是“CZ（czoc h ralski）法”。采用該方法是“因為比EFG（edge-defined film-fed growth method）法及Kyropulos法等其他制造方法更適于大尺寸化”（福田承生）。 今后要想實現(xiàn)8英寸藍(lán)寶石基板，除了要制造8英寸單晶之外，還必須改進(jìn)對單晶進(jìn)行切割的方法，以及重約20kg的8英寸藍(lán)寶石單晶的搬運方法。 另一方面，除了制造8英寸產(chǎn)品之外，還需要考慮從8英寸單晶的截面中剝離出多張4英寸基板，提高4英寸基板的生產(chǎn)效率。 還在研究氨熱法 除了藍(lán)寶石單晶之外，福田結(jié)晶技術(shù)研究所還在研究有望制造出大尺寸GaN結(jié)晶的“氨熱法”。目的是削減GaN基板的成本。 氨熱法的特點是原理上能夠制造出像水晶一樣非常大的GaN結(jié)晶。通過對這一大尺寸的GaN結(jié)晶進(jìn)行切割，能夠以多種結(jié)晶面來制備大口徑的GaN基板。 福田晶體發(fā)展趨勢.jpg 日本晶體市場規(guī)模.jpg CZ法藍(lán)寶石晶體.png 氨熱合成法生長氮化鎵晶體.png |
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2樓2013-10-12 08:22:52
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微下拉法(Micro-pulling-down method，以下簡稱μ-PD法。μ-PD法發(fā)展很快，它不僅可制備出形狀對稱的圓纖維晶體，而且還可生長出異形的纖維晶體，這些生產(chǎn)出的晶體表面光滑，形狀有矩形、棒狀、片狀及管狀等，這些異形截面形狀的纖維晶體不需再加工。中片狀藍(lán)寶石晶體的透光率接近于90％，波長在200～900nm之間，性能比導(dǎo)模法和單晶提拉法制備的同類晶體優(yōu)異。 來源：Fukuda T，Chani V L Shaped crystals[M]．Berlin Heidel—berg：Springer，2007 檢索：微下拉法(μ-PD法)使用的設(shè)備是高頻晶體生長爐，國內(nèi)公開報道僅有山大晶體研究所、西工大定向凝固實驗室兩篇文獻(xiàn)。 本人孤陋寡聞，在此拋磚引玉。 |
3樓2013-11-28 08:40:19
qw905
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日新技研-微下拉法単結(jié)晶成長裝置 |
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2013-12-02 07:58:44, 181.68 K
4樓2013-12-02 07:59:04
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