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關(guān)于半導(dǎo)體禁帶寬度與光學(xué)性能的問題
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半導(dǎo)體禁帶寬度與透射波長的關(guān)系 Eg=1240/波長 是不是說波長大于特定值，光可以透過，小于特定值，光不能透過 但是為什么某半導(dǎo)體的透射光譜在這個(gè)波長不是垂直下降減少，而是呈現(xiàn)一條斜線，這就意味著在特定波長附近，比波長長的光是不是也可能被吸收 比特定波長短的光也有部分透過？ 這是隧道效應(yīng)么？ 求達(dá)人具體解釋 |
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
zx0819: 金幣+5, 謝謝你的解答 2013-10-29 10:01:00
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zx0819: 金幣+5, 謝謝你的解答 2013-10-29 10:01:00
| 首先Eg是一個(gè)理想概念，晶體中總會存在各種缺陷，這些缺陷可以形成新的吸收帶。其次只有能量大于Eg的光子在半導(dǎo)體中才會被吸收，形成空穴電子對，這也是為什么吸收帶邊可以判定Eg大小的原因。最后，如果能量小于Eg的光子也是有可能被吸收的，但是不會形成空穴電子對，因?yàn)闆]有足夠的能量使電子躍遷到導(dǎo)帶上，這些受激電子脫激過程中放出的能量以熱量或者其他的方式放出去。。。 |
2樓2013-10-25 09:59:09
3樓2013-10-25 17:10:17
hamiltonian
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【答案】應(yīng)助回帖
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zx0819: 金幣+5, 謝謝你的解答 2013-10-29 10:01:13
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zx0819: 金幣+5, 謝謝你的解答 2013-10-29 10:01:13
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這個(gè)應(yīng)該不是隧道效應(yīng)。我覺得除了樓上所說的缺陷的影響，還應(yīng)考慮載電子和空穴的濃度分布。 導(dǎo)帶中的電子濃度分布函數(shù)是態(tài)密度函數(shù)和費(fèi)米狄拉克函數(shù)的乘積，即： N(E)=S(E)f(E). 但N(E)的極值并不在導(dǎo)帶低，而是在距離帶邊幾個(gè)kT處。 空穴濃度與此類似。 而實(shí)際吸收波長其實(shí)是由電子和空穴的分布共同決定的，并不完全是由能帶圖里的禁帶寬度決定的，所以會出現(xiàn)你說的情況。 類似的，在光致發(fā)光時(shí)，發(fā)光光譜(PL)也不是垂直上升垂直下降的。 |
4樓2013-10-25 18:48:23
mef3
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6樓2013-10-25 20:26:30
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