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yh19892008木蟲(chóng) (小有名氣)
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納米材料電化學(xué) 作者：（德）霍茲著；趙輝等譯
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目錄 中文版序 譯者的話 原書序 第1章 雜化電化學(xué)／化學(xué)方法在石墨上合成半導(dǎo)體納米晶 1.1 引言 1.1.1 材料電沉積中的維度控制：技術(shù)發(fā)展水平 1.1.2 電化學(xué)／化學(xué)制備半導(dǎo)體量子點(diǎn) 1.2 金屬納米粒子的尺寸選擇性電沉積 1.3 對(duì)電化學(xué)Volmer-Weber生長(zhǎng)過(guò)程中粒子尺寸分布的理解 1.4 金屬納米粒子到半導(dǎo)體量子點(diǎn)的轉(zhuǎn)變 1.4.1 金屬氧化物中間體 1.4.2 金屬氧化物到金屬鹽的轉(zhuǎn)變與表征 1.5 E／C合成材料的光致發(fā)光譜 1.6 E／C合成的量子點(diǎn)的應(yīng)用舉例：基于新原理的光探測(cè) 1.7 結(jié)論 參考文獻(xiàn) 第2章 電沉積半導(dǎo)體量子點(diǎn)薄膜 2.1 引言 2.1.1 概述 2.1.2 與納米晶材料表征有關(guān)的一些特殊問(wèn)題 2.2 從DMSO溶液中電沉積厚膜半導(dǎo)體 2.2.1 CdS和CdSe 2.2.2 多種多樣的硫化物和硒化物 2.2.3 CdTe 2.3 超薄膜和分立納米晶的沉積 2.3.1 基底對(duì)于非水溶液沉積膜的影響 2.3.2 外延生長(zhǎng) 2.3.3 變換半導(dǎo)體 2.3.4 改變基底 2.4 電沉積納米半導(dǎo)體膜的電學(xué)表征 2.4.1 掃描探針電流-電壓譜 2.4.2 光電化學(xué)光電流譜 2.5 電沉積納米晶半導(dǎo)體膜的潛在應(yīng)用 參考文獻(xiàn) 第3章 超晶格及多層膜的電沉積 3.1 超晶格及多層膜的背景介紹 3.1.1 概述 3.1.2 在多量子阱中的量子限域 3.1.3 自旋依賴的傳輸現(xiàn)象 3.1.4 層狀納米結(jié)構(gòu)的力學(xué)性質(zhì) 3.2 超晶格和多層膜的電沉積 3.2.1 概述 3.2.2 超晶格和多層膜的單浴及雙浴電沉積 3.2.3 金屬多層膜和超晶格的電沉積 3.2.4 半導(dǎo)體及陶瓷多層膜和超晶格的電沉積 3.3 超晶格和多層膜的表征 3.3.1 X射線衍射 3.3.2 掃描隧道顯微鏡 3.3.3 透射電子顯微鏡 3.4 研究進(jìn)展及展望 參考文獻(xiàn) 第4章 刻蝕多孔半導(dǎo)體：形成及表征 4.1 引言 4.2 半導(dǎo)體刻蝕機(jī)理 4.3 孔的刻蝕機(jī)理 4.4 孔刻蝕半導(dǎo)體的回顧 4.4.1 硅 4.4.2 Ⅳ-Ⅳ族材料 4.4.3 Ⅲ-V族材料 4.4.4 Ⅱ-Ⅵ族材料 4.4.5 TiO2 4.5 光電化學(xué)表征 4.5.1 阻抗 4.5.2 光電流 4.5.3 發(fā)光 4.5.4 多孔半導(dǎo)體中的電子傳輸 4.6 多孔刻蝕半導(dǎo)體的應(yīng)用 4.7 結(jié)論 參考文獻(xiàn) 第5章 納米晶多孔硅的電化學(xué)形成及改性 5.1 引言 5.2 納米晶多孔si、Ge、GaAs、GaP、InP的合成 5.3 硅.電解質(zhì)界面的結(jié)性質(zhì) 5.3.1 硅在HF水溶液中的化學(xué) 5.3.2 電化學(xué)形成多孔硅 5.4 多孔硅的性質(zhì) 5.4.1 多孔硅的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 5.4.2 多孔硅的發(fā)光性質(zhì) 5.4.3 多孔硅的電學(xué)性質(zhì) 5.5 多孔硅的電致發(fā)光 5.6 電化學(xué)功能化 5.7 應(yīng)用 參考文獻(xiàn) 第6章 納米結(jié)構(gòu)薄膜電極中的電荷傳輸 6.1 引言 6.2 從單晶到量子點(diǎn) 6.3 電荷傳輸過(guò)程的限制因素 6.4 schottky勢(shì)壘模型的失效 6.5 作用譜分析 6.5.1 技術(shù)及定義 6.5.2 有效電荷分離區(qū)域 6.6 擴(kuò)散模型 6.7 激光脈沖誘導(dǎo)的電流瞬變 6.8 阱的影響 6.9 電解質(zhì)中的電荷傳輸 6.9.1 液體電解質(zhì) 6.9.2 “固體電解質(zhì)” 6.10 強(qiáng)度調(diào)制的光電流和光電壓譜 6.11 納米結(jié)構(gòu)中載流子的雙極擴(kuò)散 6.12 在納米結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體-后觸點(diǎn)界面上的電場(chǎng) 6.13 彈道電子傳輸 6.14 納米結(jié)構(gòu)電極的電荷傳輸及應(yīng)用 6.15 結(jié)論 參考文獻(xiàn) 第7章 染料敏化的太陽(yáng)能電池：工作原理 7.1 染料敏化太陽(yáng)能電池體系的一般描述 7.1.1 太陽(yáng)能電池是如何工作的 7.1.2 染料敏化太陽(yáng)能電池與其他類型的比較 7.2 染料敏化太陽(yáng)能電池的詳細(xì)描述 7.2.1 染料化學(xué)及光化學(xué)：概述 7.2.2 納米晶半導(dǎo)體膜 7.2.3 電子從染料向TiO，的注入 7.2.4 半導(dǎo)體薄膜多孔納米晶結(jié)構(gòu)的重要性 7.2.5 陷阱及不連續(xù)電荷效應(yīng) 7.2.6 染料的氧化還原電勢(shì)以及HOMO能級(jí)的重要性 7.3 DSSC的輸出參數(shù) 7.3.1 光電流 7.3.2 光電壓 7.3.3 填充因子 7.3.4 DSSC電池的性能 7.4 DSSC 3工作模式的進(jìn)一步評(píng)述 7.5 DSSC的模型化 7.6 液體電解質(zhì)與固態(tài)DSSC的比較 7.7 應(yīng)用前景 參考文獻(xiàn) 第8章 半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)分子組裝體的電致變色和光電致變色性質(zhì) 8.1 引言 8.2 納米結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體薄膜的制備與表征 8.2.1 膠體懸液法 8.2.2 電化學(xué)沉積 8.2.3 自組裝膜 8.3 光致變色效應(yīng) 8.4 電致變色效應(yīng) 8.4.1 納米結(jié)構(gòu)金屬氧化物膜 8.4.2 染料和氧化還原發(fā)色團(tuán)改性的納米結(jié)構(gòu)氧化物膜 8.4.3 表面束縛熒光探針 8.5 結(jié)束語(yǔ) 參考文獻(xiàn) 第9章 聚合物電解質(zhì)、納米粒子和納米片逐層自組裝超薄膜中的電子轉(zhuǎn)移和電荷存儲(chǔ) 9.1 引言 9.1.1 電子轉(zhuǎn)移和電荷存儲(chǔ)的重要性 9.1.2 逐層自組裝的原理 9.1.3 評(píng)述范圍 9.2 自組裝發(fā)光二極管、光致變色和電致變色顯示器 9.2.1 納米結(jié)構(gòu)聚合物薄膜型發(fā)光二極管 9.2.2 基于氧化還原聚合物薄膜的發(fā)光二極管 9.2.3 光致變色和電致變色顯示器 9.3 自組裝整流二極管 9.3.1 p-n結(jié) 9.3.2 Schottky二極管 9.4 單電子導(dǎo)電性-自組裝庫(kù)侖堵塞器件 9.5 自組裝多層膜中的光誘導(dǎo)能量和電子轉(zhuǎn)移 9.6 鋰蓄電池的自組裝電極 9.7 結(jié)論和展望 參考文獻(xiàn) |
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2013-11-12 20:10:45, 19.41 M
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232樓2013-11-19 14:51:29
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qftian2樓
2013-11-12 20:53
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stone2613樓
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xkyxmc7樓
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ppoott10樓
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zxf98411樓
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lieying1812樓
2013-11-13 00:13
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Jackcd1213樓
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lieying1814樓
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