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新手要做畢設(shè)了,有這么多題目,不知道區(qū)別,希望蟲(chóng)友推薦和說(shuō)出推薦理由
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a-Si:H/c-Si薄膜沉積生長(zhǎng)的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究 EDIP勢(shì)與SW勢(shì)在描述硅熔化與結(jié)晶過(guò)程的特性對(duì)比研究 MEAM勢(shì)與Tersoff勢(shì)在描述硅熔化與結(jié)晶過(guò)程的特性對(duì)比研究 不同類(lèi)型多晶硅錠位錯(cuò)分布特性研究 多晶硅錠底部與中部位錯(cuò)起源觀察與分析 晶核缺陷對(duì)硅晶核長(zhǎng)大影響的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究 雜質(zhì)C對(duì)硅晶體生長(zhǎng)影響的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究 雜質(zhì)N對(duì)硅晶體生長(zhǎng)影響的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究 只有這么多的分 |
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專家顧問(wèn) (著名寫(xiě)手)
伊卡斯特的小豬
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專家經(jīng)驗(yàn): +503 |
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個(gè)人感覺(jué) EDIP勢(shì)與SW勢(shì)在描述硅熔化與結(jié)晶過(guò)程的特性對(duì)比研究 MEAM勢(shì)與Tersoff勢(shì)在描述硅熔化與結(jié)晶過(guò)程的特性對(duì)比研究 雜質(zhì)C對(duì)硅晶體生長(zhǎng)影響的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究 雜質(zhì)N對(duì)硅晶體生長(zhǎng)影響的分子動(dòng)力學(xué)模擬研究 這幾個(gè)在建模或模擬方面會(huì)相對(duì)簡(jiǎn)單。。。 |

木蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)

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