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探測器結(jié)構(gòu)設(shè)計
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大家好: 我是做半導(dǎo)體材料的,用飛秒激光對硅材料進行改性,俗稱黑硅,材料具有光譜高效吸收和亞能級吸收,主要可應(yīng)用領(lǐng)域是太陽能電池和光電探測器, 最近我一之在想幾個關(guān)于期間設(shè)計的問題: 1,關(guān)于電極設(shè)計的問題,材料表面經(jīng)過照射后會有有尖峰狀結(jié)構(gòu),表面鈍化選擇用SiN4,但是不知道遂穿厚度是多厚?聽說有公式可計算?? 2,電極形成歐姆接觸,僅僅靠加熱退火(快速退火400攝氏度)行不行?還是一定形成重摻雜才行? 謝謝。! |
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