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[求助]
如何選擇Mott-Schottky曲線電位范圍？謝謝！
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各位大俠，小蟲最近剛剛接觸Mott-Schottky曲線，其中有多處不明白的地方，困擾許久，特來求助各位大俠，還望不吝指點(diǎn)，謝謝啦！麻煩了！ 具體問題如下： （1）測(cè)試M-S曲線時(shí)，電位范圍該如何選擇？（我的是一種新物質(zhì)，無文獻(xiàn)參考）電位不同是不是對(duì)Efb有很大影響？ （2）測(cè)試時(shí)，曲線最低點(diǎn)即起峰位點(diǎn)對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)不為零，這樣可以嗎？（如圖） （3）根據(jù)M-S曲線測(cè)試得到的Efb位點(diǎn)與由線性掃描得到的起峰位點(diǎn)不同，該怎樣解釋呢？有文獻(xiàn)解釋為The discrepancy between VFB and the photocurrent onset is likely due to OER overpotential losses and voltage drops in the circuit. 我的是HER也可以這樣解釋嗎？ 謝謝諸位！萬分感謝！ 未標(biāo)題-2 拷貝.jpg |
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老師，您好！ 關(guān)于M-S曲線我還有一個(gè)問題想問您！謝謝！打擾了�。� （1）我對(duì)比兩個(gè)樣品，在做光電響應(yīng)曲線，即線掃時(shí)，起峰電位（電流開始大于零時(shí)）是有區(qū)別的，相差0.15V。是我想要的結(jié)果。但是在做M-S曲線時(shí)，平帶電位卻怎么測(cè)都是相同的值，不知是什么原因？（測(cè)試過程：開路電位也不太穩(wěn)定，大概在0.2-0.4之間，如果我選擇-0.4-1.2會(huì)得到一條斜率為正的直線，但是兩條曲線的平帶電位值確是相同的） （2）如果我選擇-1.2-0.6，如上圖所示，會(huì)出現(xiàn)兩段直線區(qū)域，如果選擇0-0.6之間的直線區(qū)域，那么兩條曲線即兩個(gè)樣品的平帶電位都是1.1V，也沒有區(qū)別，但是如果選擇-0.4-0V之間的區(qū)域，則結(jié)果與線掃的結(jié)果相符，但是此時(shí)這段區(qū)域是在開路電位的左側(cè)，即開路電位是0.2V，不在所選區(qū)域之內(nèi)，這樣可以嗎？ 我現(xiàn)在不知道該如何用M-S曲線，如果我的開路電位是0.2V，我可以用上圖的M-S曲線，并選擇-0.4-0V的直線區(qū)域嗎？ 打擾老師了！謝謝！！ |
3樓2013-12-30 11:29:32
Jackcd12
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
zhuosifei: 金幣+20, ★★★★★最佳答案, 非常感謝您！我依次再做進(jìn)一步的測(cè)試，有問題再問您！謝謝您的熱心幫助！ 2013-12-10 16:30:09
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1. M-S測(cè)試時(shí)，在不清楚膜的半導(dǎo)體類型的情況下，以開路電位為中心點(diǎn)，電位掃描范圍可以在中心點(diǎn)左右0.6V范圍內(nèi)，根據(jù)曲線情況，再確定擴(kuò)大或縮小電位范圍。 2. M-S 曲線的最低點(diǎn)并不需要一定接近0，但計(jì)算C^-2時(shí)要注意正確使用電容的公司和各常數(shù)的單位。 3. 平帶電位是半導(dǎo)體膜性質(zhì)決定的，與光照時(shí)從I-V 曲線上得到的起始電位不完全吻合也是正常的，因M-S曲線是在半導(dǎo)體空間層處于耗盡層狀態(tài)下測(cè)試，受測(cè)試條件（阻抗測(cè)試采用的頻率，電位掃描速度等）和人工切線的選擇等因素的影響，但一般不會(huì)相差太大。 |
2樓2013-12-10 13:18:54
Jackcd12
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如果你已經(jīng)知道半導(dǎo)體的類型，如上面的M-S所示，為n型半導(dǎo)體，選擇電位掃描范圍主要向開路電位的正方向（陽極方向）掃描，這時(shí)半導(dǎo)體空間電荷層才會(huì)處于耗盡狀態(tài)，M-S測(cè)試的就是耗盡狀態(tài)時(shí)的電容。 由于平帶電位是通過作切線來確定的，很多時(shí)候M-S曲線表現(xiàn)出多段直線，以及不理想的直線，因此，M-S曲線的直線段的選擇就帶有人為因素，一般需要選擇直線段最長(zhǎng)的部分做切線。 就你上面的圖看，直線段應(yīng)該選擇的0-0.6對(duì)應(yīng)的線性段做切線比較合適，而不是下面的那段。 |
4樓2013-12-30 12:22:15
lhy_work
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5樓2016-12-10 09:27:40
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