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lwb870525木蟲 (著名寫手)
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[求助]
問兩個(gè)問題 已有1人參與
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1、測(cè)半導(dǎo)體薄膜的I-V曲線時(shí)，為什么作圖都是將I放在y軸，V放在x軸？（我的理解是若橫坐標(biāo)是I，縱坐標(biāo)是V，那么根據(jù)曲線的線性與否就直接可以判斷金屬與半導(dǎo)體的接觸是歐姆接觸還是肖特基接觸；若是歐姆接觸。直接看斜率不就能估算電阻的大小） 2、半導(dǎo)體薄膜的光致發(fā)光測(cè)試，即PL測(cè)試，看到有文獻(xiàn)中說可以加偏壓測(cè)試，這個(gè)是怎么回事？（我印象中光致發(fā)光測(cè)試是用一束激光照射到半導(dǎo)體上面，激發(fā)價(jià)帶的電子到導(dǎo)帶，然后電子躍遷回價(jià)帶而發(fā)光，再收集發(fā)光的光譜。那么，加上偏壓有什么用處呢？） PL.png |
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5樓2013-12-27 21:01:49
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2樓2013-12-27 16:32:47
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1、我就是看到好多在研究n型或p型歐姆接觸的時(shí)候，所測(cè)的I-V曲線基本上都是將V放在x軸，I放在y軸，為什么不反過來呢？（或者說V放在x軸，I放在y軸有什么特別的意義？） 2、文獻(xiàn)是APL上的一篇， Applied Physics Letters 82, 625 (2003)。 http://scitation.aip.org/search? ... ion14=elocationpage 謝謝！ |
3樓2013-12-27 16:54:45
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