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【關(guān)于VASP計算流程的一些問題】 已有3人參與
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最近才學(xué)vasp,看了很多教程,但是始終對于vasp計算流程還是很模糊,我把我要問的問題總結(jié)在下面,希望高手能指點(diǎn)一下。 1. 關(guān)于優(yōu)化流程方面的 看有的說先優(yōu)化ENCUT,K點(diǎn),SIGMA,再優(yōu)化晶包參數(shù);有的說先優(yōu)化晶包參數(shù),在優(yōu)化化ENCUT,K點(diǎn),SIGMA。 在這里我說一下我的疑惑,一般優(yōu)化ENCUT,K點(diǎn),SIGMA的標(biāo)準(zhǔn)是能量變化小于1meV吧, 如果晶包參數(shù)和理想晶包偏差很大的話,那能量應(yīng)該也會很大,可能的一種情況是ENCUT取很大的值也不能是能量變化在1meV。 如果是先優(yōu)化晶包的話,那ENCUT,K點(diǎn)怎么取值? ENCUT取ENMAX的1.3倍?那K點(diǎn)呢? 2. 關(guān)于K點(diǎn)的選取 本人才接觸第一性,沒有學(xué)過的理論知識,什么布里淵區(qū),K點(diǎn)之類的概念不知道是神馬意思,也看過一些理論知識,實(shí)在沒勇氣看下去,所以像問大俠K點(diǎn)是怎么選出來的? 如果是上面問題1里面說的,優(yōu)化選出來的,那怎么變化K點(diǎn)? 是和ENCUT一樣慢慢變化K點(diǎn)嗎?不過ENCUT只有一個變量,K點(diǎn)有三個變量,如果一個一個改變那計算量不是很大? 3.計算DOS的時候,要增大K點(diǎn),怎么個增大法?有沒有標(biāo)準(zhǔn)? 比如我的K點(diǎn)是 6 6 6 增大的話 增大到多少 9 9 9 還是多少?還是要根據(jù)DOS的精度要求,DOS圖不好的話在把K點(diǎn)繼續(xù)增高? 4.最后說一下計算的流程,望高手指點(diǎn)一下看對不對 第一步:就是問題一提到的,優(yōu)化各參數(shù),晶包 第二步:將晶包優(yōu)化的CONTCAR cp 成POSCAR 進(jìn)行一下靜態(tài)計算 第三步:利用靜態(tài)計算的CHG,CHGCAR 進(jìn)行DOS計算 第四步:利用靜態(tài)計算的CHG,CHGCAR 進(jìn)行band計算 不知道大概步驟是不是這個樣子的,希望高手指點(diǎn)一下,方便像我一樣的新手。 |


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第一個問題,論壇里有個很好的帖子講優(yōu)化的。我只加一句,其實(shí)沒必要1meV,幾個都已經(jīng)不錯了,你可以做測試,如果用比較小的Encut就收斂的挺好了,何必用大的?如果收斂的不是特別好,1.3Enmax足夠了。 第二個,我覺得既然要做計算,基本的知識太多了,也沒說要全部看完,但我覺得起碼要知道怎么一回事,這樣萬一結(jié)算結(jié)果很離譜,你也會大概知道哪出了問題。 k點(diǎn),這個帖子不錯:http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=3180318&fpage=1 第三和第四,步驟都是沒問題的,這方面教程也多的很,侯老師那個一般就夠用了。問題是過程中會不會有問題。 |
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