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carrier pocket engineering是什么意思? 已有3人參與
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版主 (著名寫手)
寂寞讀書的小和尚
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我簡單的講一下我的理解,不一定對,僅供參考! 圖片顯示為我在組內(nèi)作報告用的一張PPT,假設(shè)費米能級在Ef'的位置,可以知道載流子主要集中在費米能級以下,我們以簡并n型材料為例,電子限制在Ff’和能帶邊緣所形成的“口袋”中,對于左邊的單能谷模型,簡并度為1,右邊的多能谷模型,簡并度為能谷數(shù)(n型),p型材料為價帶的“能峰”數(shù)。從表達(dá)式可以看出,優(yōu)值是與簡并度有關(guān)系的。此外,載流子從一個能谷中遷移到另一個能谷會引起有效質(zhì)量的變化,引起電子輸運性能的改變,所以一般的公式都只適用于單能谷模型。 希望那張截圖能看清楚,重新輸入比較麻煩,平時理論研究不多,你加上自己的理解,希望沒有誤導(dǎo)你,我們可以繼續(xù)討論。 |

版主 (著名寫手)
寂寞讀書的小和尚

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