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GGA+u對于不同的材料作用不一樣嗎 已有4人參與
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發(fā)現(xiàn)很多文獻對于TiO2用GGA+U是這樣說的 1、“由于密度泛函理論并沒有考慮到交換關聯(lián)勢的連續(xù)性，導致采用GGA或 LDA 方法計算得到的半導體的禁帶寬度一般要小于實驗測量值” 2、而對于ZnO則是說的是“采用GGA+U修正Zn-3d電子的強相關作用” 3、 還有文獻中提到在DFT中，由于求解Kohn—Sham的方程沒有考慮體系的激發(fā)態(tài)，使得價帶及基態(tài)以上的能級位置 偏低，而價帶及價帶以下的能級與實驗一致，這就導致基本帶隙寬度與實驗值有差別。 不知道這幾中說法是一致的，還是GGA+u對于不同的材料作用不一樣。 |
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707462558: 金幣+3 2014-02-10 18:06:59
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+U主要是給電子間的庫倫排斥勢加這么一項能量。也就是所謂的強關聯(lián)電子能量，這是物理模型不是湊數(shù)，也有辦法計算出體系確切的U值。具體可參考這個帖子 http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=5237955&fpage=1 而對激發(fā)態(tài)的修正不是+U的事 我以前算銳鈦礦也算的2.幾帶隙，貌似要加6.幾的U才能算出3.3的帶隙，而且還跟K點有關。�！，F(xiàn)在一般都用雜化泛函算，直接就能算準 |
7樓2014-02-10 02:27:26
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