【答案】應(yīng)助回帖

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附件 1 : 5-1.1V

2014-03-06 10:25:09, 4.71 K

1樓 2014-03-06 10:24:22

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【答案】應(yīng)助回帖

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309065816: 金幣+5 2014-03-06 11:14:24

擬合成一個(gè)圓一般就說明可以等效成一個(gè)電阻與電容的并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)。
如果是對(duì)于一個(gè)反應(yīng)界面來說的話，就代表法拉第電阻和雙電層電容。
你這里里低頻區(qū)的回轉(zhuǎn)可能是由于實(shí)驗(yàn)的原因?qū)е�，具體我也不是很清楚了，等待高手吧

人生海海，在于內(nèi)心

2樓2014-03-06 10:49:47

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引用回帖:

2樓: Originally posted by 李加偉 at 2014-03-06 10:49:47
擬合成一個(gè)圓一般就說明可以等效成一個(gè)電阻與電容的并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)。
如果是對(duì)于一個(gè)反應(yīng)界面來說的話，就代表法拉第電阻和雙電層電容。
你這里里低頻區(qū)的回轉(zhuǎn)可能是由于實(shí)驗(yàn)的原因?qū)е�，具體我也不是很清楚了，等待 ...

嗯嗯，謝謝，因?yàn)槭窃陂_路電位下測(cè)試的，應(yīng)該是像你說的電阻與電容并聯(lián)這種情形

3樓2014-03-06 11:14:15

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引用回帖:

想再問一下呀，要是電極表面覆蓋2層膜，是不是2個(gè)并聯(lián)電路串聯(lián)？

4樓2014-03-08 21:19:23

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【答案】應(yīng)助回帖

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309065816: 金幣+3 2014-03-09 16:39:25

引用回帖:

4樓: Originally posted by 309065816 at 2014-03-08 21:19:23
想再問一下呀，要是電極表面覆蓋2層膜，是不是2個(gè)并聯(lián)電路串聯(lián)？...

個(gè)人觀點(diǎn)覺得應(yīng)該不是的，因?yàn)榇?lián)的每個(gè)部分只是因?yàn)殡娮璧男再|(zhì)不同，比如擴(kuò)散電阻，歐姆電阻。但是兩層膜的話其實(shí)并沒有改變這些電阻的性質(zhì)的。
猜想一下，即使你的EIS測(cè)試出來肯定也是某些圓弧的半徑變化，不一定能夠多出一些圓弧來。

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6樓2014-03-09 13:58:21

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309065816: 金幣+3 2014-04-17 19:41:10

引用回帖:

9樓: Originally posted by 309065816 at 2014-03-10 21:06:19
能在幫我看看這個(gè)嗎？我先在四硼酸鈉溶液中直接做的空白，活化是先掃一段CV后到達(dá)金屬的活性溶解峰，然后停止取出再在四硼酸鈉溶液中測(cè)阻抗；鈍化就是先掃CV至電極表面鈍化，再測(cè)EIS。這3個(gè)狀態(tài)基本都是一個(gè)半圓， ...

應(yīng)該可以這么說吧，畢竟只有一個(gè)圓，應(yīng)該也顯示不了其他的性質(zhì)。
a,b兩個(gè)看起來就是只有一種阻抗，似乎也沒有因?yàn)閰^(qū)間選擇存在的趨勢(shì)問題。你的解釋應(yīng)該是對(duì)的。
可以用一個(gè)電路圖，對(duì)不同的器件阻值大小不同

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10樓2014-03-10 21:13:58

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5樓2014-03-08 21:19:55

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6樓: Originally posted by 李加偉 at 2014-03-09 13:58:21
個(gè)人觀點(diǎn)覺得應(yīng)該不是的，因?yàn)榇?lián)的每個(gè)部分只是因?yàn)殡娮璧男再|(zhì)不同，比如擴(kuò)散電阻，歐姆電阻。但是兩層膜的話其實(shí)并沒有改變這些電阻的性質(zhì)的。
猜想一下，即使你的EIS測(cè)試出來肯定也是某些圓弧的半徑變化，不一 ...

嗯嗯，我后來想想感覺也不怎么對(duì)。bode圖中只有一個(gè)峰是不是代表只有一個(gè)時(shí)間常數(shù)？或者說是通過什么來確定時(shí)間常數(shù)的

7樓2014-03-09 15:00:38

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309065816: 金幣+2 2014-03-09 16:39:32

引用回帖:

7樓: Originally posted by 309065816 at 2014-03-09 15:00:38
嗯嗯，我后來想想感覺也不怎么對(duì)。bode圖中只有一個(gè)峰是不是代表只有一個(gè)時(shí)間常數(shù)？或者說是通過什么來確定時(shí)間常數(shù)的...

只能說是這個(gè)時(shí)間常數(shù)是確定的，頂點(diǎn)就是w=1/(RC)

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8樓2014-03-09 15:24:53

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8樓: Originally posted by 李加偉 at 2014-03-09 15:24:53
只能說是這個(gè)時(shí)間常數(shù)是確定的，頂點(diǎn)就是w=1/(RC)...

能在幫我看看這個(gè)嗎？我先在四硼酸鈉溶液中直接做的空白，活化是先掃一段CV后到達(dá)金屬的活性溶解峰，然后停止取出再在四硼酸鈉溶液中測(cè)阻抗；鈍化就是先掃CV至電極表面鈍化，再測(cè)EIS。這3個(gè)狀態(tài)基本都是一個(gè)半圓，是不是表示只是極化電阻增大，其他性質(zhì)相似。能否用一個(gè)電路圖

空白-活化-鈍化疊加圖.jpg