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關(guān)于MCM-41型介孔二氧化硅的巰基化問(wèn)題
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最近要做巰基化修飾的MCM-41型介孔二氧化硅納米粒,有的文獻(xiàn)采用共縮合法直接將巰丙基三甲氧基硅烷與硅源TEOS一起加入合成介孔硅,也有文獻(xiàn)對(duì)已經(jīng)合成的未除CTAB模板的介孔硅進(jìn)行巰丙基三甲氧基硅烷后修飾,尚未找到對(duì)已經(jīng)合成的除去CTAB模板的介孔硅進(jìn)行巰丙基三甲氧基硅烷后修飾的相關(guān)文獻(xiàn)。 請(qǐng)問(wèn),這幾種方法的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些?對(duì)后邊的載藥釋藥(鹽酸阿霉素DOX·HCl)有哪些影響。 另外,修飾完成后,我想通過(guò)巰基化修飾的另一種材料與介孔硅表面的巰基交聯(lián)生成二硫鍵以使材料堵住介孔,上述幾種巰基化修飾的方法對(duì)我后面方案的實(shí)施會(huì)有哪些影響,哪種方法會(huì)更好呢? 同時(shí)想尋求更多關(guān)于巰基化修飾介孔二氧化硅的相關(guān)文獻(xiàn)。希望大家能給予指導(dǎo)。 |
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