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youngjay9999銀蟲 (小有名氣)
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[求助]
請(qǐng)教下著兩張CV圖和EIS圖能說明材料表面產(chǎn)生了SEI膜嗎？ 已有1人參與
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各位電化學(xué)大神好，小碩求教，這是個(gè)負(fù)極材料。CV測(cè)的是前3圈的循環(huán)伏安圖，EIS測(cè)的是充放電0,1,5,10,50圈的交流阻抗。我主要是想說明材料的表面生成的SEI膜。 CV：在2-2.2V左右是材料的氧化還原峰，那么在0.5-0.7V左右的對(duì)稱峰還是在接近0V的氧化峰是SEI膜的峰？另外還可以看到，0.5-0.7V的峰強(qiáng)是和材料的2-2.2V的峰強(qiáng)是一致的，即隨著掃描的增加峰強(qiáng)減弱。而 0V左右的峰是隨著掃描的增加峰強(qiáng)是增加的。 EIS：這是在充電時(shí)測(cè)的阻抗，新電池阻抗較小，但是充放電后阻抗急劇增加，這是SEI膜的生成導(dǎo)致的嘛？ 不勝感激。 圖片11.png 圖片21.png |
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youngjay9999
銀蟲 (小有名氣)
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4樓2014-03-29 21:06:27
xushoudong
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【答案】應(yīng)助回帖
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
| 從CV圖中基本上看不到什么SEI膜的成膜峰，通常電解液分解在顆粒表面生成SEI膜的電位區(qū)間在1.2-0.5V間，當(dāng)然添加添加劑后的電解液有可能不一致。而SEI膜的生成時(shí)不可逆的，也就是說在第一周存在，你這個(gè)CV如果你覺得在0.7-0.5 V的很小的電流峰是SEI膜生成，那么第二周和第三周也存在，即使有SEI膜也不穩(wěn)定，起不到任何作用。 另外EIS的基本作圖是要把橫縱坐標(biāo)刻度一致，你的阻抗值變大只能說明你的材料的性能變差，電荷傳輸困難，EIS中也觀察不到SEI膜成膜過程，因?yàn)镾EI膜的阻值不可能有那么大。 綜上，從你的實(shí)驗(yàn)結(jié)果看不出來SEI膜的生成，如果樓主想證實(shí)，不妨試一試FTIR并結(jié)合循環(huán)后XRD分析，找兩篇文獻(xiàn)看看。 以上是我個(gè)人觀點(diǎn)，當(dāng)然不一定完全對(duì)，樓主選擇性采納！ |
2樓2014-03-28 17:35:47
youngjay9999
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非常感謝你的回答。0.5-0.7V的峰是可逆的，也就是說這個(gè)峰不可能是SEI膜咯？那么接近0V的不可逆的峰是什么峰呢？可不可能是SEI膜？ 另外，對(duì)于阻抗值變大您歸結(jié)于材料的性能變差，但是，如果是性能變差，至少EIS是有區(qū)別的吧？從EIS上來看，基本上循環(huán)1圈后，阻抗值就穩(wěn)定了。再說，材料的循環(huán)性還是可以的，100圈后容量剩余95%�；旧现辉谇�10圈衰減，之后幾乎沒有衰減。還有您說的SEI膜的阻抗值不可能那么大，那么SEI膜的阻抗一般是多大的呢？ 您最后說的拆電池再進(jìn)行物理表征的確是好想法。 |
3樓2014-03-28 19:25:33
xushoudong
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5樓2014-03-31 08:25:01
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