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wj0702114081金蟲 (正式寫手)
學(xué)神的奴隸
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[求助]
關(guān)于離子注入的基本理論求交流
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在看一些離子注入晶體的碩博論文時(shí)看到的說法如下： 離子注入前端，離子主要與電子相互作用，能量損失為電子能量損失，主要引起的缺陷是點(diǎn)缺陷。 離子注入末端，離子主要與材料中的核子發(fā)生相互作用，能量損失為核子能量損失，引起原子位錯(cuò)，從而破壞晶體的晶格結(jié)構(gòu)，在射程末端形成一個(gè)晶格損傷層。 小弟有點(diǎn)不解。 為什么前端就主要是電子能量損失呢？前端能量高，末端能量低。跟誰相互作用跟能量高低有什么直接關(guān)系呢？ 另外點(diǎn)缺陷不就是位錯(cuò)和間隙原子（翻了下固體物理書）。原子位錯(cuò)我想說的應(yīng)該是大面積位錯(cuò)。 為什么前者可以退貨修復(fù)，后者就不行呢？ 本科時(shí)候的原子物理和固體物理的知識(shí)基本已經(jīng)全部還給老師了。 歡迎各位來交流或前來解惑。 |
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qingsehetao
鐵蟲 (小有名氣)
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2樓2014-06-04 10:42:59
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看太多，然后給忘了。。。不過有篇英文的文獻(xiàn)你可以看看 Bianconi, M., G. G. Bentini, M. Chiarini, P. De Nicola, G. B. Montanari, A. Nubile and S. Sugliani (2009). "Defect engineering and micromachining of Lithium Niobate by ion implantation." Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 267(17): 2839-2845. |
3樓2014-06-04 17:45:32
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4樓2014-06-04 17:46:46
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