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phu_grassman榮譽版主 (知名作家)
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2014-05-02 20:27:20, 156.33 K
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phu_grassman
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3樓2014-05-04 14:15:40
shenhailan
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【答案】應(yīng)助回帖
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phu_grassman: 金幣+500, 翻譯EPI+1, ★★★★★最佳答案, Thanks very much. 2014-05-04 14:07:34
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（54）【發(fā)明的名稱】：用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液 （57）【要約】：有修正 【課題】：提供一種高效能的抑制鎳對硅片污染的氫氧化鈉水溶液。 【解決手段】：在硅片蝕刻時提供含有羧酸鹽的氫氧化鈉水溶液，能夠很大程度的抑制硅片的金屬污染。氫氧化鈉水溶液中的羧酸鹽的含量沒有特別的限定，優(yōu)選重量百分比為0.01-5。 【圖譜】：無 【專利要求的范圍】 【要求項1】以含有羧酸鹽為特征的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液 【要求項2】要求1中記載的羧酸鹽類是以二羧酸鹽或單羧酸鹽為特征的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液。 【要求項3】羧酸鹽類是以甲酸鹽，乙酸鹽，丙酸鹽，己酸鹽，月桂酸鹽，硬脂酸鹽，乙醛酸鹽，草酸鹽，琥珀酸鹽，丙二酸鹽，戊二酸鹽，己二酸鹽，一氯乙酸鹽，二氯乙酸鹽，三氯乙酸鹽，檸檬酸鹽，亞氨基乙酸鹽，L-半胱氨酸鹽及L-胱氨酸鹽中的一種或2種以上的混合物為特征的要求1及要求2中記載的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液。 【要求項4】羧酸鹽類是以鈉鹽，鈣鹽或者羥胺鹽為特征的要求項1-3中記載的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液。 【要求項5】氫氧化鈉水溶液中羧酸鹽類的含有量為0.01重量百分比以上為特征的要求項1-4中記載的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液。 【發(fā)明的詳細說明】 【技術(shù)領(lǐng)域】 【0001】本發(fā)明涉及的是在硅片蝕刻時，對氫氧化鈉水溶液中含有的金屬雜質(zhì)，特別是鎳雜質(zhì)對硅片的污染具有防止作用的高效能的氫氧化鈉溶液。 【背景技術(shù)】 【0002】近年，硅片的蝕刻從混合酸（氟化氫+硝酸+乙酸）已逐步轉(zhuǎn)向使用處理方便的氫氧化鈉水溶液。特別是，氫氧化鈉水溶液具有改善硅片表面的特性并且能大幅度提高生產(chǎn)性的優(yōu)點。但是，一般情況下，氫氧化鈉水溶液，由食鹽電解制造而成一般會含有ppm級別的鐵，鎳等成分，這些鐵，鎳等金屬雜質(zhì)，晶片蝕刻時會滲入硅片并殘存其中，改變了晶片電氣絕緣的特性。 【0003】除去氫氧化鈉水溶液中含有的金屬雜質(zhì)的純化方法，專利文獻1中公開了對用陽離子交換膜處理的氫氧化鈉水溶液的電解的純化方法。使用該方法，氫氧化鈉水溶液的金屬雜質(zhì)濃度可以達到1ppb以下。 【0004】還有，專利文獻2中公開了氫氧化鈉中的鎳濃度在0.1ppb以下時，能使殘留在硅片上的鎳含量降低。但是，這些方法是用食鹽電解得到的氫氧化鈉水溶液再次進行電解，使氫氧化鈉水溶液的濃度提高的同時除去金屬雜質(zhì)的方法，缺點是精制效率差。 【0005】還有，為了防止氫氧化鈉水溶液中含有的金屬雜質(zhì)對硅片的污染，專利文獻3中公開了在氫氧化鈉水溶液中添加了還原劑，使金屬雜質(zhì)的離子成分還原成沒有活性的金屬用于蝕刻的方法。這種方法在用于蝕刻前，離子型的金屬雜質(zhì)全部還原成金屬的非活性狀態(tài)，因為這種狀態(tài)必須要維持到用于蝕刻時，為了防止混入洋氣，有必要在氮氣下進行儲存和運送，還有需要加入過量的還原劑等缺點。 【專利文獻1】特開2002-317285號公報 【專利文獻2】特開2007-138233號公報 【專利文獻3】特開平10-310883號公報 【發(fā)明的詳細】 【發(fā)明要解決的課題】 【0006】在這種情況下，本發(fā)明是不需特別的管理及高度的精制，以提供一種能作為硅片蝕刻劑使用的高效能的氫氧化鈉水溶液為目的的發(fā)明。 【未解決問題使用的方法】 【0007】本發(fā)明人詳細研究的結(jié)果，通過使氫氧化鈉水溶液中含有羧酸鹽，在硅片蝕刻時，發(fā)現(xiàn)能高度防止氫氧化鈉水溶液中含有的微量的鎳雜質(zhì)項硅片中的滲透。 【0008】換言之，本發(fā)明是 （1） 以含有羧酸鹽類為特征的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液 （2） 羧酸鹽是以二羧酸鹽類或單羧酸鹽類為特征的上述（1）中的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液。 （3）羧酸鹽是從以甲酸鹽，乙酸鹽，丙酸鹽，己酸鹽，月桂酸鹽，硬脂酸鹽，乙醛酸鹽，草酸鹽，琥珀酸鹽，丙二酸鹽，戊二酸鹽，己二酸鹽，一氯乙酸鹽，二氯乙酸鹽，三氯乙酸鹽，檸檬酸鹽，亞氨基乙酸鹽，L-半胱氨酸鹽及L-胱氨酸鹽中的一種或2種以上的混合物為特征的前述（1）和（2）中寫的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液。 （4）羧酸鹽類是以鈉鹽，鈣鹽或者羥胺鹽為特征的上述（1）~（3）中的記載的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液。 （5）氫氧化鈉水溶液中羧酸鹽類的含有量為0.01重量%以上為特征的上述（1）~（4）中記載的用于硅片蝕刻的氫氧化鈉水溶液。 【發(fā)明的效果】 【0009】如上述說明中所述，用本發(fā)明的氫氧化鈉水溶液對硅片蝕刻時，能得到鎳的污染濃度很低的硅片。 【0010】本發(fā)明使用的原料氫氧化鈉水溶液，優(yōu)選是通過食鹽電解得到的30%-52重量%的水溶液。還有，這種原料的氫氧化鈉水溶液中的鐵，鎳，鉻，銅，錳等的含量在ppm至ppb級別。優(yōu)選原料的氫氧化鈉水溶液雜質(zhì)越少得到的氫氧化鈉水溶液的純度就越高。特別是，優(yōu)選鎳和銅在10ppb以下。 本發(fā)明的氫氧化鈉水溶液是在上述原料氫氧化鈉水溶液中含有羧酸鹽。 本發(fā)明的羧酸鹽類優(yōu)選二羧酸鹽或單羧酸鹽類。 【0011】本發(fā)明的羧酸鹽類優(yōu)選甲酸鹽，乙酸鹽，丙酸鹽，己酸鹽，月桂酸鹽，硬脂酸鹽，乙醛酸鹽，草酸鹽，琥珀酸鹽，丙二酸鹽，戊二酸鹽，己二酸鹽，一氯乙酸鹽，二氯乙酸鹽，三氯乙酸鹽，檸檬酸鹽，亞氨基乙酸鹽，L-半胱氨酸鹽及L-胱氨酸鹽等。 可以是上述羧酸鹽中的一種或2種以上的混合物。作為羧酸鹽類，特別是不是限定的羧酸鹽或二羧酸鹽時，含有羥基及其他的官能團及多鍵的異構(gòu)體也可以作為羧酸鹽使用。 【0012】本發(fā)明的羧酸鹽類優(yōu)選鈉鹽或鈣鹽或羥胺鹽。更為優(yōu)選的是鈉鹽。 使氫氧化鈉水溶液中含有羧酸鹽類的方法，在酸性狀態(tài)下含有，在金屬鹽狀態(tài)下含有也可以。 本發(fā)明的氫氧化鈉水溶液中羧酸鹽類的優(yōu)選含有量沒有特別的規(guī)定，優(yōu)選0.01重量%-5重量%， 優(yōu)選0.01重量%以上時抑制污染的效果越高， 5重量%以下時蝕刻性能的變化受到氫氧化鈉水溶液的物理性質(zhì)的影響就越少。更為優(yōu)選的是0.05重量%-2重量%。 【實施例】 【0013】以下采用本發(fā)明的實施例說明，但不限定于本發(fā)明。 【0014】 [實施例1-7] 含有鎳2ppb的48重量%的氫氧化鈉水溶液中按照表1中羧酸鹽在水中溶解后使原料氫氧化鈉水溶液中含有制成本發(fā)明的氫氧化鈉水溶液。向蝕刻槽中加入這個氫氧化鈉水溶液1升，鎳雜質(zhì)的濃度為2×1011atom/cm2，抵抗為0.01Ω下打磨，200mm的硅片在80℃下蝕刻2分鐘，水洗，氫氟酸洗凈后，檢查硅片中的金屬雜質(zhì)濃度。硅片表面附近含有的金屬雜質(zhì)在表面用硝酸氧化后成為二氧化硅后，用氫氟酸溶解采用ICP-MS分析。 【0015】 [比較例1] 不含有羧酸鹽類，鎳含量為2ppb的48重量%的氫氧化鈉水溶液，采用實施例1同樣的方法對硅片蝕刻，檢查金屬雜質(zhì)。 從表1就可看出，本發(fā)明的氫氧化鈉水溶液在對硅片蝕刻時，能大幅度的抑制鎳污染。 【0016】 【表1】 羧酸鹽類 硅片中的鎳濃度 化合物名 添加量（重量%） ×1011atom/cm2 實施例1 檸檬酸 0.01 3.1 實施例2 0.05 2.1 實施例3 0.2 1.1 實施例4 2.0 0.8 實施例5 醋酸鈉 0.1 3.5 實施例6 戊二酸鈉 0.1 4.2 實施例7 丙酸鈉 0.1 21 比較例1 無 - 410 【產(chǎn)業(yè)上利用的可能性】 【0017】本發(fā)明適用于用作半導(dǎo)體基板等的硅片的蝕刻劑。 |
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phu_grassman2樓2014-05-04 14:00:47
phu_grassman
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4樓2014-05-04 14:16:46
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