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sxwht銀蟲 (小有名氣)
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sxwht
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9樓2014-05-07 12:15:46
sxwht
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說要補一個簡介：首先，GaN是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料；其次，從納米線來講，由于在橫向所產(chǎn)生的尺寸限制（標(biāo)準(zhǔn)為100nm以下），會產(chǎn)生量子限制效應(yīng)，有利于提高電子空穴的濃度，從而提高提高電子空穴對的復(fù)合效率。同時：由于尺寸效應(yīng)而產(chǎn)生的發(fā)光峰藍(lán)移，則是由于（一條定理類的東西，說尺寸越小，禁帶寬度越大，先湊合理解，我回頭找找）。 目前我所了解到的MOCVD生長GaN納米線的方法有三種：1，采用催化劑，例如Ag，在反映初形成Ag+Ga的合金液滴，合金液滴的大小直接影響納米線的直徑。2，采用脈沖生長方式，還在學(xué)習(xí)當(dāng)中。 3，采用模板輔助生長，例如SiO2模板，但對模板的開孔尺寸要求很高，50~200nm，滿足陣列。 純手打，勿噴，要噴請輕噴...本人能力有限，如有錯誤，大家一起交流指正... |
2樓2014-05-06 08:55:01
sxwht
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說要補一個簡介：首先，GaN是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料；其次，從納米線來講，由于在橫向所產(chǎn)生的尺寸限制（標(biāo)準(zhǔn)為100nm以下），會產(chǎn)生量子限制效應(yīng)，有利于提高電子空穴的濃度，從而提高提高電子空穴對的復(fù)合效率。同時：由于尺寸效應(yīng)而產(chǎn)生的發(fā)光峰藍(lán)移，則是由于（一條定理類的東西，說尺寸越小，禁帶寬度越大，先湊合理解，我回頭找找）。 目前我所了解到的MOCVD生長GaN納米線的方法有三種：1，采用催化劑，例如Ag，在反映初形成Ag+Ga的合金液滴，合金液滴的大小直接影響納米線的直徑。2，采用脈沖生長方式，還在學(xué)習(xí)當(dāng)中。 3，采用模板輔助生長，例如SiO2模板，但對模板的開孔尺寸要求很高，50~200nm，滿足陣列。 純手打，勿噴，要噴請輕噴...本人能力有限，如有錯誤，大家一起交流指正... [ 發(fā)自手機(jī)版 http://www.gaoyang168.com/3g ] |
3樓2014-05-06 10:29:52
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4樓2014-05-06 20:34:05
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