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金蟲 (正式寫手)

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[交流] ACS nano-2014 輻照對(duì)MoS2場(chǎng)效應(yīng)晶體管相關(guān)性能影響

Irradiation Effects of High-Energy Proton Beams on MoS2 Field Effect Transistors

Abstract：We investigated the effect of irradiation onmolybdenum disulfide (MoS2) field effect transistors with 10 MeV
high-energy proton beams. The electrical characteristics of the devices were measured before and after proton irradiation with
fluence conditions of 1012, 1013, and 1014 cm2. For a low proton beam fluence condition of 1012 cm2, the electrical properties of the
devices were nearly unchanged in response to proton irradiation. In contrast, for proton beam fluence conditions of 1013 or 1014 cm2,
the current level and conductance of the devices significantly decreased following proton irradiation. The electrical changes
originated from proton-irradiation-induced traps, including positive oxide-charge traps in the SiO2 layer and trap states at the interface between the
MoS2 channel and the SiO2 layer. Our study will enhance the understanding of the influence of high-energy particles on MoS2-based nanoelectronic devices.

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附件 1 : ACS-2014_Irradiation_Effects_of_High-Energy_proton_beams_on_MoS2_field_effect_transistors.pdf

2014-05-05 10:56:44, 2.25 M

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1樓 2014-05-05 10:56:46

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