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chongxy木蟲 (正式寫手)
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[求助]
Plasmonic ehancement factor
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我想算在基底上周期排列的納米結(jié)構(gòu)的ehancement factor, 之前發(fā)過一個(gè)帖子問過同樣的問題,當(dāng)時(shí)是參照Comsol 自帶的那個(gè)例子(scatter on substrate), 那個(gè)例子是算單個(gè)顆粒的,第一步算有基底情況下的背景場,第二步用背景場加PML算單個(gè)顆粒的電場分布。有人回貼說只要把第二步計(jì)算是的PML邊界改成周期邊界就可以計(jì)算周期排列的顆粒的電場分布了。那然后enhancement factor怎么算?另外貌似scattering field算的有問題。 我想改成full field 和周期邊界(四周)算。我的想法是通過port入射,這樣就可以算出入射平面波的電場強(qiáng)度E0,算完后,用得到的電場分布E除以E0,就可以得到ehancement factor,不知道這樣做對不對? |
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