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S07111072

鐵桿木蟲 (著名寫手)

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專業(yè): 理論和計算化學(xué)

[求助] 電荷轉(zhuǎn)移

大家好，我剛接觸MS，向大家請教一個問題，比如以Si為基底，在其上面生長CdS納米線，然后在用化學(xué)方法處理使其表面覆蓋一層F4TCNQ(四氟四氰二甲基對苯醌)、MoO3、石墨烯量子點薄膜，接著處理表征，最后做成器件。我現(xiàn)在的問題是如何計算CdS層和其表面涂層（F4TCNQ、MoO3、石墨烯量子點）之間的電荷轉(zhuǎn)移？我的思路是用MS中的castep模塊計算，即先構(gòu)建CdS晶體結(jié)構(gòu)并優(yōu)化（在properties里勾選band structure、density of states、electron density difference）→優(yōu)化F4TCNQ、MoO3、石墨烯量子點→構(gòu)造CdS(110)表面并弛豫CdS(110)表面（在properties里勾選bandstructure、density of states、electron density difference）→將F4TCNQ或MoO3或石墨烯量子點添加到1X1CdS(110)表面并優(yōu)化此結(jié)構(gòu)（在properties里勾選band structure、density of states、electron density difference）→構(gòu)建和優(yōu)化2X1 CdS(110)表面（在properties里勾選bandstructure、density of states、electron density difference）→能量分析、態(tài)密度分析、電荷密度分析。，不知這樣的計算思路是否合理？請大家?guī)兔�，謝謝！

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1樓 2014-06-09 16:52:40

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