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heda312木蟲 (小有名氣)
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[求助]
關(guān)于氧化物薄膜晶體管中的關(guān)態(tài)電流 已有1人參與
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| 請(qǐng)問，在氧化物薄膜晶體管中（磁控濺射有源層），什么因素決定了器件的關(guān)態(tài)電流大小，關(guān)態(tài)電流與場(chǎng)效應(yīng)遷移率，閾值和電導(dǎo)等有什么關(guān)系，解釋的越詳細(xì)越好，謝謝�。�！ |
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【答案】應(yīng)助回帖
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heda312: 金幣+50, ★★★很有幫助 2014-10-14 09:31:27
heda312: 金幣+50, ★★★很有幫助 2014-10-14 09:31:27
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首先看你的氧化物是amorphous還是polycrystalline, 如果你的post-annealing 溫度過高，或者材料容易結(jié)晶，變成poly由于grain bounday漏電會(huì)比較大。如果假設(shè)你的是amorphous的IGZO，影響漏電因素太多了，比如你的process control，比如O2/Ar ratio。還有一個(gè)還得看絕緣層，off-current有幾條path，one from source to drain through channel，one from gate to drain through insulator。 Mobility首先看材料本身特性，還有就是看你如果control the oxygen vacancy，從而決定carrier concentration，carrier concentration對(duì)mobility影響很大。如果假設(shè)你是enhancement-mode IGZO TFT, 那就是channel/insulator的interface會(huì)很重要。 這些基礎(chǔ)的東西可以建議看看Wager的Transparent Electronics或者Hosono的相關(guān)paper，這些問題早期已解決文章無數(shù)。 |
2樓2014-10-14 01:37:00
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