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2007cr銅蟲 (初入文壇)
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[求助]
求助：晶體Si（以及摻雜后） 光吸收譜為何與禁帶寬度對不上 已有1人參與
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http://d.kankan3d.com/data/bcs/2014/0625/w160h3178792_1403704014_891.png 求助： 附件的圖是在晶體Si（以及摻雜后）得到的光吸收譜，禁帶寬度為什么對不上呢？ 第一性原理計(jì)算得到晶體Si禁帶寬度是0.61ev，為了跟實(shí)驗(yàn)值相符合，將導(dǎo)帶的能級做了剛性平移，然后再做光學(xué)計(jì)算�？墒菫槭裁垂鈱W(xué)計(jì)算得到的結(jié)果在3ev以下是沒有吸收呢？3ev對應(yīng)的波長是0.41eV啊。求各位大神指點(diǎn)迷津。 另外vasp計(jì)算得到DOS圖，兩個(gè)體系在比較的時(shí)候，橫坐標(biāo)（能量）是應(yīng)該直接對齊（不減Ef），還是應(yīng)該各自減去Ef后，將零點(diǎn)對齊呢？為什么？ 圖片1.png |
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KalaShayminS
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謝謝你的回答。你的意思是VASP計(jì)算的都是零K下的情況，零K情況下沒有聲子參與，所以從能帶圖上看只能垂直躍遷哈，垂直躍遷得到的最小禁帶是3ev哈？嗯，有道理。 3樓2014-06-27 12:06:27
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