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SCI REP-UK:一種通過氯化法將無定形碳化鈦轉(zhuǎn)化為石墨烯的方法
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Graphene from Amorphous Titanium Carbide by Chlorination under 200 oC and Atmospheric Pressures Tao Peng, Zongkui Kou, Hui Wu & Shichun Mu* 目前，石墨烯復雜的制備工藝和高昂的價格成為阻礙其產(chǎn)業(yè)化的最大瓶頸；同時，石墨烯制備過程中缺乏對石墨烯層數(shù)的精確調(diào)控也嚴重限制了其應用。前期，論文作者首次報道了采用氯化法在800℃、常壓下可將無定形碳化硅（a-Si1-xCx）納米薄膜轉(zhuǎn)化為石墨烯（Scientific Reports, 2013, 3, 1148，下載見附件2）。在此基礎上，他們進一步采用比a-Si1-xCx更活潑的無定形碳化鈦（a-Ti1-xCx）作為石墨烯的前驅(qū)體，僅在200℃溫度條件下就可快速將a-Ti1-xCx納米薄膜轉(zhuǎn)化為石墨烯。而且，通過改變處理溫度可以使石墨烯的層數(shù)得到有效的調(diào)控。此外，他們還探討了石墨烯層數(shù)與無定形TiC納米薄膜基底尺寸的關系，證明采用更大尺度的基底依然能在較低溫下得到層數(shù)可控的石墨烯。該方法具有在無基底或任意基底上大面積合成層數(shù)可控石墨烯的巨大潛力。 The synthesis of graphene via decomposition of SiC has opened a promising route for large-scale production of graphene. However, extremely high requirements for almost perfectly ordered crystal SiC and harsh process conditions such as high temperatures (.12006C) and ultra-high vacuum are two significant challenges hindering its wide use to synthesize graphene by decomposition of SiC. Here, we show that the readily available precursor of carbides, amorphous TiC (a-Ti1-xCx), can be transformed into graphene nanosheets (GNS) with tunable layers by chlorination method at very low temperatures (2006C) and ambient pressures. Moreover, freestanding GNS can be achieved by stripping off GNS from the surface of resulting particles. Therefore, our strategy, the direct transformation of a-Ti1-xCx into graphene, is simple and expected to be easily scaled up. Figure 1.jpg |
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- 附件 2 : Direct_Transformation_of_Amorphous_Silicon_Carbide_into_Graphene_under_Low_Temperature_and_Ambient_Pressure.pdf
2014-07-06 14:49:59, 3.55 M
2014-07-07 00:14:29, 4.74 M
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