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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 微米和納米 » 微納加工 » 制備原子級別平坦度的Si100表面
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制備原子級別平坦度的Si100表面 已有5人參與
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小女子做所謂的 單原子光刻技術相關的課題 簡單的說 就是在原子級別平坦的H終端的Si表面，用STM的探針單獨的把1個或幾個氫原子脫離掉，然后再跟PH4反應，因為只有裸露的Si的位置才能與之反應。所以就能單獨的把一個P原子的前身嵌入到Si表面中。 然后再退火，因為PH3的H和H終端的H的退火溫度不一樣，所以H終端可以當做光刻技術的MASK。 H原子全部脫離掉之后，再外延生長Si，這樣就把單個P原子精確的嵌入到Si基板中了。 目前研究生階段，只做到研究STM探針的電壓 電流 時間與H原子脫離面積的相關性研究就可以了。 所以第一個問題就是制備 原子級別平坦度的H-Si（100）。 大多數(shù)論文都是用flash的方法，直接跟H2反應。這個我們設備做不到，而且比較危險，所以就無視了。 另一種是化學腐蝕法，先行研究成功的例子都是用Si111面。Si100面還沒有特別成功的例子。 不過，其實所謂的不成功的例子是指沒有大規(guī)模的制備出來，我想想 我也用不到大規(guī)模的，只要很小部分夠平坦就可以了。所以想想，還是可行的。 不知道大家有沒有什么經(jīng)驗吶~~~~~~我僅僅是從論文看到的方法，理想跟現(xiàn)實是有差距的。 PS 論文中最成功的例子是 用NH4F溶液，并且N2注入溶液來清除溶存的O2。 |
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 uicorn3 |
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a370910527
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