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shmilyztfxx木蟲 (著名寫手)
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在小木蟲上帖子中泡了好久還未解決~~~關(guān)于贗電容CV，充放電，阻抗的幾個(gè)具體問(wèn)題��！ 已有1人參與
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各位前輩好：贗電容分析有幾個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)大家?guī)兔�，謝謝~~ 關(guān)于CV曲線（具體請(qǐng)見(jiàn)圖片）： 1.我的結(jié)果里面CV曲線中電流I的氧化峰值小于還原峰值，請(qǐng)問(wèn)是什么原因呢，式樣是否需要重新測(cè)定呢？（參考文獻(xiàn)里面I還原小于I氧化） 2.算氧化還原電位差值選高掃速還是低掃速好呢？ 3.氧化還原電位差判斷反應(yīng)是否可逆，文獻(xiàn)是說(shuō)小于58/n mv就可逆，我的氧化還原反應(yīng)電子轉(zhuǎn)移數(shù)是1，那就應(yīng)該是小于58 mv. 但是我取最高氧化峰和最高還原峰對(duì)應(yīng)的電位的差值（1mv/s是0.17V, 50mv/s是0.41V左右），算起來(lái)就是170mv或者410 mv，是我試樣有問(wèn)題嗎？ 4.氧化還原電位差值越小越好，為什么呢？ 5. 關(guān)于起始點(diǎn)，論文里面都是從0V開始的，但是我的式樣找氧化還原區(qū)間測(cè)CV曲線有的從-1V開始而且未閉合，可以這樣測(cè)嗎，或者是測(cè)定之后可以人為的平移到0為起點(diǎn)并且閉合曲線嗎？ 關(guān)于充放電： 1. 充放電曲線的最高值有什么意義呢，是不是越高越好呢？ 2. 放電時(shí)間>充電時(shí)間，正常嗎？ 關(guān)于阻抗譜： 1．阻抗譜由一個(gè)半圓和一條直線組成。文獻(xiàn)里面說(shuō)半圓的起點(diǎn)（X軸上）表示電解質(zhì)里面的內(nèi)阻，我的式樣在同一個(gè)電解中測(cè)量的，但是起點(diǎn)有差距有點(diǎn)大，是不是因?yàn)槭綐舆B接線設(shè)置的時(shí)候影響那個(gè)起點(diǎn)值呢？作圖的時(shí)候我可以人為的把起點(diǎn)統(tǒng)一嗎？ 第一次接觸到電化學(xué)分析，請(qǐng)各位前輩幫忙解答，感激涕零~~~~~祝各位一切安好~~~ 그림1.jpg |
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CV 2.算氧化還原電位差值低掃速 3.氧化還原電位差判斷反應(yīng)是否可逆，試樣沒(méi)問(wèn)題，只要你不是純搞電化學(xué)動(dòng)力學(xué)研究 其他無(wú)所謂 你說(shuō)的那些 都是理想情況 4.氧化還原電位差值越小越好，可逆性好 5. 氧化還原區(qū)間測(cè)CV曲線有的從-1V開始而且未閉合，可以 正常，不可以 測(cè)定之后可以人為的平移到0為起點(diǎn) 閉合曲線（可以不閉合） GCD 放電時(shí)間>充電時(shí)間，正常，好多文獻(xiàn)有類似現(xiàn)象 EIS 作圖的時(shí)候可以把起點(diǎn)統(tǒng)一，但也可以挑選出一些符合“規(guī)律”的圖譜  |
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