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關(guān)于GaAs-Hfo2的 MOS電容仿真需要考慮GaAs的non-parobolic效應(yīng)？ 已有1人參與
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各位大神蟲友，在下在讀GaAs的文獻(xiàn)時(shí)，遇到了non-parobolic效應(yīng)，是說(shuō)GaAs的能帶不是拋物線的，但是師兄說(shuō)在CV仿真的時(shí)候也有一個(gè)non-parobolic效應(yīng)要考慮，到底有幾個(gè)non-parobolic效應(yīng)��？CV仿真的時(shí)候所考慮的那個(gè)non-parobolic效應(yīng)究竟是什么效應(yīng)��？ 研一小弟，虔誠(chéng)求教�。。。�！ 路過(guò)大神，萬(wàn)望指點(diǎn)�。。。�！ |
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2樓2014-07-26 15:20:36
3樓2014-07-26 23:33:24
4樓2014-07-29 04:11:32
5樓2014-07-29 15:29:55
6樓2014-07-30 00:39:56
7樓2014-07-31 14:55:28
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其中黑色的曲線是理想的，也就是沒(méi)有任何界面態(tài)的，另外一個(gè)是在禁帶中添加了一條受主界面態(tài)的，位置位于費(fèi)米能及以上。 剛開始的時(shí)候，閾值電壓發(fā)生負(fù)向偏移，可是受主界面太那時(shí)候還沒(méi)有帶上電荷，怎么會(huì)負(fù)向偏移，就算是偏移也應(yīng)該正向偏移啊 至于那個(gè)扭曲的地方為何會(huì)出現(xiàn)，本來(lái)以為是因?yàn)镋t在Ef以上的原因，后來(lái)發(fā)現(xiàn)在Ef一下也會(huì)有扭曲，所以暫時(shí)解釋不了。 Screenshot.png |
8樓2014-07-31 15:00:46
【答案】應(yīng)助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
破卷天涯: 金幣+10 2014-08-01 09:18:00
破卷天涯: 金幣+10 2014-08-01 09:18:00
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不是非常了解你simulation的過(guò)程，但是如果雜質(zhì)放入半導(dǎo)體內(nèi)，是會(huì)被電離的，一旦電離，就會(huì)帶電，然后就會(huì)改變閾值電壓。如果是有structure的話，建議你看一下電荷分布以及電荷極性。而且GaAs是離子晶體，應(yīng)該不難電離雜質(zhì)，你要仔細(xì)研究一下你simulator的一些原理 那個(gè)扭曲的地方，我覺(jué)得應(yīng)該還有點(diǎn)其他的雜質(zhì)，或者是體內(nèi)雜質(zhì)引起的。 |
9樓2014-07-31 23:22:35
10樓2014-08-01 09:17:36
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