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lzn_t木蟲 (小有名氣)
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[求助]
DFT+U計算的必要性與可靠性問題 已有1人參與
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最近計算了半導體Si中摻雜有過渡族金屬元素的結(jié)構(gòu),分析其電磁性能變化。審稿人認為,既然體系中含有過渡族金屬,應該使用+U算法才能使結(jié)果更可靠。但是本人對DFT+U頗有困惑,特此請教。 首先,DFT+U主要用來處理過渡族金屬氧化物體系,特別是含有d、f電子時的強關(guān)聯(lián)體系。在很多計算中,往往通過+U來使體系帶隙變大,從而與實驗值相符。但是對于過渡族金屬(比如Mn)以雜質(zhì)原子出現(xiàn)在半導體中的摻雜體系,對該雜質(zhì)Mn原子的d軌道+U,而不對不含有d/f電子的Si原子+U,似乎并不能增大體系的帶隙。那么這時,還有+U計算的必要嗎? 第二,DFT+U可以通過增大自旋電子能態(tài)劈裂來擴大能隙,因此,這種計算往往導致磁性原子的高自旋態(tài),那么這種高自旋態(tài)是準確的嗎?在很多相關(guān)文獻中,經(jīng)?吹,作者主要使用DFT計算結(jié)果來分析,僅在最后用DFT+U計算結(jié)果予以補充分析。其中在某些文獻中,+U算法的結(jié)果如前所述使摻雜原子的磁矩變大。還有很多文獻中,+U算法并沒有給出比DFT算法更多(或者更重要)的結(jié)論。那么,+U計算到底有何意義? 請大家不吝賜教! |
銅蟲 (小有名氣)
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+U是為了處理d電子,si的不屬于d電子,如果這個效應是因為硅的話,沒有加U的必要。但如果某種效應是因為d電子的話加了可能會更好。 磁矩的事情很復雜,成功和失敗的例子都有,個人感覺不如雜化泛函靠譜。嚴格的說是現(xiàn)在都沒有靠譜的理論。有很多分子體系連CCSD這樣的理論都會算錯,還是把它當作擬合實驗的一個東西比較好。 |
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