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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 晶體 » 晶體解析 » 禁帶寬度與晶格缺陷的關系？
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cixindegu金蟲 (小有名氣)
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禁帶寬度與晶格缺陷的關系？ 已有1人參與
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請問存在晶格缺陷是否會降低其禁帶寬度呢？ 有沒有相關文獻報道這個呢？ 期待各位的回答~非常感謝~ |
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【答案】應助回帖
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cixindegu: 金幣+30, ★★★★★最佳答案 2014-09-21 11:25:14
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| 嚴格意義上是不會，但是由于缺陷的存在，在導帶底部或者價帶頂部會存在缺陷能級，另外晶格缺陷的存在會使原子失配導致相互之間的鍵合力降低，相對來說原子更加活躍以及增加其躍遷的可能性，即原子活化。其實是相當于使禁帶寬度變窄，比如絕緣體半導化。至于文獻沒有，一般這個都懂的，無機物理性能書上有一些講解，這些是我個人經驗的歸類。 |
cixindegu
2樓2014-09-16 20:58:30
cixindegu
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3樓2014-09-17 09:54:06
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我也只是略懂，大神不敢當；你是怎么算的呢？這個也不能絕對的說明，因為禁帶寬度不單單是晶格缺陷影響，這樣說吧；首先你要明確晶格缺陷的類型，比如點缺陷，如果是摻雜后造成了晶格膨脹或者溫度升高原子間距增大也會減小禁帶寬度的。那么如果是固溶體呢？ 或者同位等價取代什么的，本身晶格不變形，但是物質變化了，禁帶寬度也會變化。所以你最好先確認一下元素組成，比如XRD，熒光分析什么的，采用取代的一些規(guī)則去比較，這樣在文章中就可以說“摻雜造成了畸變影響禁帶寬度”，如果是線缺陷，位錯什么的，可以做一下電鏡，一般有臺階什么的或者背散射，確定有其他物質生成。至于本征缺陷的話，這個就很難確定了！暫時就知道這么多！ |
4樓2014-09-17 21:19:30
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