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lzn_t木蟲 (小有名氣)
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[求助]
密度泛函的區(qū)別與選擇？ 已有1人參與
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最近準備使用第一性原理來計算CdTe半導體，不知道選用哪個Functional，特來請教！ 在MS的castep模塊下的Functional選項就有：LDA、GGA、HF、HF-LDA、sX、sX-LDA、PBE0、B3LYP。 這些函數(shù)在理論處理上有什么區(qū)別？是否針對不同的體系選擇也不同？除了這些函數(shù)，還有其他使用比較廣泛的函數(shù)嗎？ 請做簡要的說明即可。謝謝！ |
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目前半導體計算比較廣泛使用的雜化泛函是HSE06，CASTEP在6.0版本以后就有此泛函。 LDA和GGA應(yīng)該不必做什么說明了吧，而且種類也繁多。HF也沒什么好介紹的了。 HF-LDA指的是Ex部分采用HF，而Ec部分采用LDA的部分。PBE0（25%HF，基于微擾理論）、B3LYP(20%HF)這些都是基本的雜化泛函。PBE0一般計算光學性質(zhì)還算可以；B3對主族元素還行，高自旋態(tài)的體系不好。 sX是屏蔽Coulomb方法，sX-LDA則類似HF-LDA，交換部分考慮Coulomb屏蔽。 HSE除了前面的介紹，理論層次上說，在PBE0基礎(chǔ)上考慮了range-separated（Coulomb屏蔽）。其特點是計算帶隙相對其他泛函較為準確。但是按照Heyd論文的說法，應(yīng)力、模量計算似乎不好。 M11L在VASP中可以使用，從D.G.Truhlar的文章中顯示其計算帶隙也還行，做法如A.D.Becke擬合的成分很大，也是range-separated型的，但屬于Meta-GGA。從我自己經(jīng)驗上來看帶隙不及HSE，有時候結(jié)果好壞比較計算的體系。 大體就知道這么多了。 |
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lzn_t
2樓2014-09-30 02:29:08
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