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lzn_t木蟲 (小有名氣)
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GGA+U計算討論 已有5人參與
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最近使用Castep計算了CdTe半導體,使用含有32個原子的超晶胞。對體系結構優(yōu)化成功后,先使用GGA(PBE)進行計算,得到帶隙寬度為0.579eV。再使用GGA+U計算,得到帶隙寬度為0.592eV。 計算的參數設置滿足收斂性測試,在+U計算時,對Cd原子d電子加U=2.0eV(默認值),其他電子不加U。 那么,問題是:1. CdTe的帶隙寬度實驗值為1.61eV,而這里的計算值遠小于實驗值,是否是因為計算設置上有不合理之處? 2. CdTe中的Cd原子屬于過渡族金屬,其電子結構為3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2,Te的電子結構3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2 5p4,+U計算時,體系默認只對Cd原子的d電子+U,其他電子及Te原子的電子不+U。這樣是否合理? |
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金蟲 (正式寫手)

木蟲 (小有名氣)
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收斂性測試,主要是對 Ecut 和 K-point 的設置進行測試,這兩個值設得越大,計算結果越精確,但是耗費的計算資源也越多。收斂性測試就是尋求一個合理的參數,使計算結果精度與資源耗費兩者間取得一個平衡。 具體方法是:建立晶格結構后并進行初步優(yōu)化后,分別固定Ecut與k-point兩者中的一個值(比如Ecut),然后改變另一個值K-point,進行計算獲取對應的Final Energy。再將這些不同k-point下的結果進行比較,一般當誤差小于0.1meV/atom時,即可認為計算結果收斂。這時的K-point值即可認為是合理的了。同樣可得到Ecut的值。 |
銀蟲 (著名寫手)
銀蟲 (著名寫手)
至尊木蟲 (著名寫手)

金蟲 (正式寫手)
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這個怎么解釋? 你是想表達只是因為CdTe是d10, 加U無法概述gap 還是說d10的都不能改善gap。 對于CdTe,我沒有算過,不要驗證你的回答。 但是如果你是說的第二種意思,我個人是不認同的。U畢竟是描述d電子之間的庫倫作用的,但是并沒有禁止說d10 +U就沒有什么作用了。 On-site correlation of p-electron in d10 semiconductor zinc oxide http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/qua.24593/abstract 我在網上也順便找了一篇最近的文章,好像是天津理工的。這里面就對d10的半導體d,p同時加U了。 我沒有仔細看,只是掃視了下文章,我覺得這個文章就是利用LDA+U來修飾能帶的。 有不當之處,請斧正! Fang |

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