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Do_niesy金蟲 (初入文壇)
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[求助]
硅太陽能電池 已有1人參與
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摻有施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體常溫下導(dǎo)帶中的電子數(shù)比摻雜前增多,稱為n型材料,摻有受主雜質(zhì)的稱為p型材料,常見的太陽電池實(shí)質(zhì)上是個(gè)面積很大的p-n結(jié)二極管。當(dāng)太陽光照射到太陽電池上時(shí),其中一部分被表面反射掉,其余部分被太陽電池吸收或透過。被吸收的光,有一些轉(zhuǎn)換成熱能,另一些能量大于半導(dǎo)體禁帶寬度的光子,穿過減反射膜進(jìn)入半導(dǎo)體中。在N區(qū),耗盡區(qū)和P區(qū)中同硅原子價(jià)電子碰撞,將能量傳給價(jià)帶的電子,使電子躍遷到導(dǎo)帶,而在價(jià)帶留下一個(gè)空穴,產(chǎn)生了電子一空穴對(duì)。這樣,光能就以產(chǎn)生電子一空穴對(duì)的形式轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔。由于在P型和n型交界面兩邊形成了勢(shì)壘電場(chǎng),能將電子驅(qū)向N區(qū),空穴則被驅(qū)向P區(qū)。在n區(qū)中,光生電子一空穴對(duì)產(chǎn)生以后,光生空穴便向p-n結(jié)邊界擴(kuò)散,一旦到達(dá)p-n結(jié)邊界,便立即受到內(nèi)建電場(chǎng)作用,被電場(chǎng)力牽引作漂移運(yùn)動(dòng),越過耗盡區(qū)進(jìn)入P區(qū),光生電子(多子)則被留在n區(qū)。P區(qū)中的光生電子(少子)同樣地先因?yàn)閿U(kuò)散、后因?yàn)槠贫M(jìn)入N區(qū),光生空穴(多子)留在P區(qū)。如此便在p-n結(jié)附近形成與勢(shì)壘電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)。光生電場(chǎng)的一部分除抵銷勢(shì)壘電場(chǎng)外,還使P型層帶正電,N型層帶負(fù)電,當(dāng)有負(fù)載接入時(shí),就產(chǎn)生光生電流(通過電極來收集)。 我想問在P型和N型交界面兩邊形成了勢(shì)壘電場(chǎng)的問題,我不懂這個(gè)勢(shì)壘電場(chǎng),然后將電子推向N區(qū),空穴推向P區(qū),為什么會(huì)這樣呢?我是初學(xué)者,N區(qū)不是參雜了P元素有多出的電子嗎?求助,謝謝 |
金蟲 (小有名氣)

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