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hbc1234木蟲 (小有名氣)
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[求助]
半導體表面的空間電荷與電場分布 已有2人參與
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半導體物理的課本中都會提到,表面附近存在空間電荷區(qū),從而會有非零的電場隨深度的分布。但是在敘述這一現(xiàn)象時,課本往往使用MIS結(jié)構(gòu)進行講解,即外加電壓下,載流子重新分布,從而通過外加電場解泊松方程得到電場分布。但是,我覺得這一現(xiàn)象應(yīng)該是由于表面態(tài)導致的,即使沒有外加電壓,空間電荷層應(yīng)該依然存在。 請問,我的這種認識正確嗎?如果正確,應(yīng)該用什么方法計算或測量半導體表面的電場或電勢分布?(如普通的單晶硅片) 我知道通過很多方法可以得到半導體表面的功函數(shù),請問功函數(shù)和表面電場有什么聯(lián)系嗎? 謝謝! |
木蟲 (小有名氣)
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剛才查到一個帖子,請問是他講的方法嗎? http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=6012052&fpage=1&target=blank |
銀蟲 (正式寫手)
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表面態(tài)當然會造成電荷重新分布,但這本身也仍是費米面不平造成的。因為電子凈的流動完全由費米面決定,(如果沒有這一條規(guī)則,表面態(tài)也不會引起空間電荷區(qū))費米面不平造成的電荷在空間上的積累是普遍的現(xiàn)象。兩者并沒有任何矛盾的地方。 在表面態(tài)影響顯著的體系中,無非是不能簡單用塊體材料能帶結(jié)構(gòu)描述而已,最終電子是否重新排布,怎么排布還是由費米面決定 |
木蟲 (小有名氣)
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我這里下不了附件。 功函數(shù)計算是很常規(guī)的工作,VASP里面講得很清楚,CASTEP和VASP同源,應(yīng)該不會錯的。 metaliium從費米面平衡角度出發(fā)講這個問題,半導體物理的書就是這么介紹的。如果你是模型級工作,加上電子數(shù)守恒,無窮遠處波函數(shù)為0等邊界條件就能算波函數(shù)及電荷分布。 如果你是DFT,平衡條件下算得功函數(shù)就是系統(tǒng)的費米能級和真空能級的差,電荷重新分布已經(jīng)在電子自恰計算過程中完成了。 |
銀蟲 (正式寫手)
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