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求助：vasp計算rutile TiO2的電子DOS時，為何單胞和supercell的結(jié)果不一樣？ 已有2人參與
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我一般都是用單胞來計算電子dos。這次因為想看一個特定的晶格distortion對rutile的影響，而這個distortion需要在一個2*2*2的supercell實現(xiàn)，所以我就嘗試用一個supercell來算dos了。 優(yōu)化的單胞展開成2*2*2的supercell（這個supercell沒有任何distortion，我是想看一看單胞和8倍的supercell得到的東西是不是一樣），開始計算，想著結(jié)果應(yīng)該和單胞出來的沒有什么區(qū)別啊（我覺得dos的值應(yīng)該大約是8倍，除此之外分布應(yīng)該沒啥區(qū)別），但是奇怪的是supercell產(chǎn)生的dos很明顯的少了一個高能級的conduction band peak，我不知道是咋回事。比較單胞和supercell的區(qū)別，只有kpoint的密度低了一倍，這應(yīng)該是沒有問題的，以下是我對這個超胞的計算文件 （1）先以4*4*4的 K point 優(yōu)化結(jié)構(gòu)，進而得到chgcar INCAR: SYSTEM = rutile Relax ISTART = 0 ICHARG = 2 ENCUT = 500 PREC = Accurate NELMIN = 4 # do a minimum of four electronic steps NELM = 40 # maximum of 40 electronic steps EDIFF = 1E-8 EDIFFG = -1E-6 # high accuracy ADDGRID = .TRUE. IBRION = -1 ISMEAR = 0 SIGMA = 0.05 LREAL = .False. LWAVE = .False. LPLANE = .TRUE. NPAR = 8 # twice the number of nodes ------------------------------------------------------------------------------ (2) 拷貝chgcar到新directory，增加KPOINT 到 11*11*11 INCAR SYSTEM = rutile Relax ISTART = 0 ICHARG = 11 ENCUT = 500 PREC = Accurate NELMIN = 4 # do a minimum of four electronic steps NELM = 40 # maximum of 40 electronic steps EDIFF = 1E-8 EDIFFG = -1E-6 # high accuracy ADDGRID = .TRUE. IBRION = -1 ISMEAR = 0 SIGMA = 0.05 LORBIT = 10 #EMIN = -15 #EMAX = 15 #NEDOS = 1000 LREAL = .False. LWAVE = .False. LPLANE = .TRUE. NPAR = 8 # twice the number of nodes ----------------------------------------------------------------------- 單胞的計算和上面一樣，除了KPOINT 分別是8*8*8 和 21*21*21，我也改過ISMEAR 到-1，木有啥變化。兩個系統(tǒng)內(nèi)力都收斂的很小，是優(yōu)化的很好的結(jié)構(gòu)。二者的能量是7.999倍，非常好的8倍關(guān)系。附件中給出了元胞和supercell的比較，很明顯，最上面的一個peak在超胞計算中不見了 本人菜鳥，實在是想不出來什么地方不對了，望高人指點，謝謝啦! dos_rutile.png |
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