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VASP雜化泛函計(jì)算太密度 已有1人參與
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菜鳥剛接觸雜化泛函,有幾點(diǎn)不太清楚,1)論壇上兩個(gè)帖子關(guān)于雜化泛函講的比較詳細(xì),一個(gè)是優(yōu)化后分三步,一個(gè)是分四步,第一個(gè)帖子(首先,用PBE函數(shù)進(jìn)行正常的自恰計(jì)算,這里需要輸出波函數(shù)和電荷密度;其次,用HSE函數(shù)進(jìn)行自恰計(jì)算,這里最好用ALGO=damp;第三,用HSE函數(shù)進(jìn)行自恰計(jì)算,去除ALGO參數(shù),這里使用DAV算法;最后,計(jì)算能帶和態(tài)密度。)另一個(gè)帖子 注意,第一步是結(jié)構(gòu)優(yōu)化, 就是每個(gè)原子能量最低. 第二步是靜態(tài)自洽計(jì)算得到電子波函數(shù), 這兩部和LDA是一樣的 第三步就是用上一步的電子波函數(shù)做混合泛函計(jì)算, 主要是第三步混合泛函第(這一步要把ISMEAR改成-5,ISMEAR改成-5電子占據(jù)數(shù)不會(huì)出現(xiàn)負(fù)值,對半導(dǎo)體不會(huì)出現(xiàn)能級展寬,師姐傳授的經(jīng)驗(yàn)) 第四步是計(jì)算能帶。 有什么區(qū)別,哪個(gè)更準(zhǔn)確,還是第二個(gè)帖子的第三步實(shí)際就是第一個(gè)二三步的和。 2)大家講的都是能帶的計(jì)算,太密度是從能帶這一步順帶獲得,還是能帶上一步的結(jié)果呢?DFT計(jì)算太密度也不用高對稱點(diǎn)啊 |
新蟲 (小有名氣)
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樓主,我之前有和你同樣的疑惑,于是我寫了郵件給第一個(gè)方法的人,并得到了他的回信,如下: 您好,我在小木蟲上看到您發(fā)的用HSE計(jì)算能帶態(tài)密度的教程,我最近剛學(xué)VASP想用他來計(jì)算能帶態(tài)密度和介電常數(shù)。 在論壇上看了好多,但是始終還是比較混亂。我還是覺得您的教程是最簡潔易懂的,因此我想請教您幾個(gè)問題,希望您能幫我解答一下。 首先,我知道如果用PBE來計(jì)算態(tài)密度和能帶的流程,首先是ISTART = 0 , ICHARG = 2先自洽,得到CHACAR; 第二步將CHACAR拷到另外的文件夾,再重新設(shè)置ISTART = 1 , ICHARG = 11,就可以開始態(tài)密度和能帶的計(jì)算了,態(tài)密度用更密一些的K點(diǎn),而能帶則用高對稱點(diǎn)。 而到了用HSE方法時(shí),就對應(yīng)不上了。據(jù)我所知,我們優(yōu)化好后(用DFT-PBE優(yōu)化),首先應(yīng)該先用DFT-PBE(ISTART = 0 , ICHARG = 2)進(jìn)行自洽一次,將得到的WAVECAR,下一步利用得到的WAVECAR并設(shè)置(ISTART = 1 , ICHARG = 2),并加入一些開啟HSE計(jì)算的參數(shù)到INCAR里面,再重新再另一個(gè)文件夾中來進(jìn)行HSE自洽。 在您的教程里,您首先采取了ALGO =Damped的HSE自洽并說:“值得注意的是,這種方法計(jì)算的本征矢量會(huì)有問題,即每個(gè) k 點(diǎn)能帶的順序會(huì)亂七八糟。但電荷密度和波函數(shù)是沒有問題的!。接著您再進(jìn)行了一次HSE的自洽(這次把ALGO=Damped刪掉了,并說:“在第二步的基礎(chǔ)上,使用 DAV 算法計(jì)算,好處是收斂較快,本征矢量沒有任何問題。這一步的 DOS 是沒有問題的!保 我的困惑是: 1、為什么您要進(jìn)行兩次HSE自洽呢?是否第一次HSE自洽由于讀取了DFT的WAVECAR進(jìn)行混合泛函,導(dǎo)致輸出結(jié)果有些不正確,因而需要進(jìn)行第二次HSE自洽?那么第一次自洽設(shè)置為ISTART = 1 , ICHARG = 2;那么第二次自洽是否也是設(shè)置為ISTART = 1 , ICHARG = 2呢? 2、您的第二次自洽的目的是否是想得到DOS呢?如果是的話,那么k點(diǎn)的數(shù)目是否要進(jìn)行增大呢?由于HSE運(yùn)行很慢,我們能否在HSE第一次自洽后得到的DOS拿來畫圖使用? 回復(fù)::1,第一次HSE的計(jì)算需要讀取PBE的WAVECAR,這是為了加速計(jì)算。兩次HSE不是因?yàn)椴徽_,只要收斂了,計(jì)算結(jié)果都是正確的。這里我之所以選擇兩步的原因,是因?yàn)镈amp的算法,計(jì)算較快,而DAV較慢。我正常先用Damp計(jì)算,再用一次DAV,這樣有時(shí)要比直接的DAV計(jì)算要快。一般來說,它主要讀的是WAVECAR,跟CHGCAR沒什么關(guān)系,所以你怎么設(shè)置都可以。這里計(jì)算DOS跟正常的PBE原理不一致。 2,原則上可以增加k點(diǎn),但我一般不推薦,因?yàn)橛?jì)算太慢。我一般就用正常的k點(diǎn)。一般算dos最好用-5,這樣比較光滑。所以最好兩次計(jì)算。這里通常第二次HSE收斂很快,一般也就2-4步就能收斂。 另,我自己的觀點(diǎn),首先正常DFT自洽,取其波函數(shù)文件,再放到HSE自洽中,再自洽一次。本來可以加大K點(diǎn)來算態(tài)密度以及用高對稱點(diǎn)算能帶,和算介電常數(shù)。由于時(shí)間長的關(guān)系,就不加大k點(diǎn)算態(tài)密度了,直接拿HSE自洽后產(chǎn)生的DOSCAR來畫態(tài)密度圖。 我也是最近才真正開始操作的,我同樣發(fā)現(xiàn)了一個(gè)問題,我用DFT,GGA-PBE算光學(xué)性質(zhì)和用MS(參數(shù)和用DFT時(shí)幾乎一樣)算出來Si的介電常數(shù)還是在峰值大小和峰值的位置上有一點(diǎn)差異。 我現(xiàn)在貼出我僅用DFT方法算介電常數(shù)的INCAR,希望高手幫我看看我是不是參數(shù)設(shè)置有問題,從而導(dǎo)致與MS的結(jié)果有差異: system=Si ENCUT=300 ISTART=1 ICHARG = 11 PREC=Accurate GGA=PE ISMEAR=-5 EDIFF=1E-5 LOPTICS = TRUE CSHIFT = 0.1 NBANDS = 36 NPAR = 1 NEDOS = 2000 LRPA = .FALSE. LREAL = .FALSE. LWAVE = .FALSE. LCHARG = .FALSE. |
新蟲 (小有名氣)
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